[發明專利]低功耗快速瞬態響應低壓差電壓調整器

有效

• 申請號: 201710295591.3
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN107102671B
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 馮浪;岑遠軍;李大剛;馬迎;張克林;林亞立
• 申請（專利權）人: 成都華微電子科技有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 成都惠迪專利事務所(普通合伙) 51215
• 代理人: 劉勛

1.低功耗快速瞬態響應低壓差電壓調整器，包括與輸入偏置電流源連接的誤差放大器、輸入端接高電平輸入端的輸出功率管、反饋比例電阻組，輸出功率管和反饋比例電阻組的連接點作為最終輸出端，其特征在于，在誤差放大器和輸出功率管之間設置有第一放大模塊、瞬態響應放電通路模塊和驅動器模塊；

所述第一放大模塊包括：

PNP型的第五晶體管(Q5)，其發射極連接最終輸出端，基極接誤差放大器的輸出端，集電極接第六晶體管的集電極，

NPN型的第六晶體管(Q6)，其集電極和基極連接，發射極接地，基極接驅動器模塊的輸入端，基極還接瞬態響應放電通路模塊的輸入端。

2.如權利要求1所述的低功耗快速瞬態響應低壓差電壓調整器，其特征在于，瞬態響應放電通路模塊包括：

NPN型的第二晶體管(Q2)，其基極接瞬態響應放電通路模塊的輸入端，其發射極接地，其集電極接第一偏置電流源；

PNP型的第三晶體管(Q3)，其發射極接高電平輸入端，基極接第二晶體管(Q2)的集電極，集電極通過第二偏置電流源接地；

NPN型的第四晶體管(Q4)，其集電極接最終輸出端，基極接第三晶體管(Q3)的集電極，發射極接地。

3.如權利要求1所述的低功耗快速瞬態響應低壓差電壓調整器，其特征在于，驅動器模塊包括：

第一NMOS管(MN1)，其源極接地，漏極和柵極皆與輸入偏置電流源連接；

第四NMOS管(MN4)，其源極接地，柵極與第一NMOS管(MN1)的柵極連接，漏極接第六PMOS管(MP6)的漏極；

第五NMOS管(MN5)，其源極接地，柵極與第一NMOS管(MN1)的柵極連接，漏極接第九晶體管(Q9)的發射極；

第六NMOS管(MN6)，其源極接地，柵極與第一NMOS管(MN1)的柵極連接，漏極接第十PMOS管(MP10)的漏極；

第七NMOS管(MN7)，其源極接地，柵極與第一NMOS管(MN1)的柵極連接，漏極接驅動器模塊輸出端(V_G)；

第六PMOS管(MP6)，其源極與高電平輸入端連接，柵極與漏極連接；

第七PMOS管(MP7)，其源極與高電平輸入端連接，柵極與第六PMOS管(MP6)的柵極連接，漏極與第八晶體管(Q8)的集電極連接；

第八PMOS管(MP8)，其源極與高電平輸入端連接，柵極與第六PMOS管(MP6)的柵極連接，漏極接驅動器模塊輸出端(V_G)；

第九PMOS管(MP9)，其源極與高電平輸入端連接，柵極與第九晶體管(Q9)的發射極連接，漏極與第九晶體管(Q9)的基極連接；

第十PMOS管(MP10)，其源極與高電平輸入端連接，柵極與第九晶體管(Q9)的發射極連接，漏極與第十晶體管(Q10)的基極連接；

第七晶體管(Q7)，其基極接瞬態響應放電通路模塊的輸入端，發射極接地，集電極接第九PMOS管(MP9)的漏極；

第八晶體管(Q8)，其基極接瞬態響應放電通路模塊的輸入端，發射極接地，集電極接第十一晶體管(Q11)的基極；

第九晶體管(Q9)，其集電極接高電平輸入端；

第十晶體管(Q10)，發射極接驅動器模塊輸出端(V_G)，集電極接輸入高電平；

第十一晶體管(Q11)，集電極接驅動器模塊輸出端(V_G)，發射極接地。