[發(fā)明專利]一種絕緣子表面等離子體憎水性改性一體化處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710294910.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106910580B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 方志;苗傳潤(rùn);張波;王乾;劉峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01B19/04 | 分類號(hào): | H01B19/04 |
| 代理公司: | 南京君陶專利商標(biāo)代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
| 地址: | 210009 *** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 絕緣子表面 憎水性 等離子體 一體化處理 憎水改性 改性 等離子體清潔 表面憎水性 環(huán)境友好性 處理效率 處理需求 改性處理 改性工藝 干式清潔 光照環(huán)境 憎水性能 整體工藝 持久性 均勻性 強(qiáng)電場(chǎng) 一體化 | ||
1.絕緣子表面等離子體憎水性改性一體化處理方法,其特征是采用了絕緣子表面等離子體憎水性改性處理裝置,該絕緣子表面等離子體憎水性改性處理裝置包括主氣道調(diào)節(jié)閥、次氣道調(diào)節(jié)閥、氣體混合腔、氣液兩相混合腔、一級(jí)分流閥、二級(jí)分流調(diào)節(jié)閥、二級(jí)分流閥、等離子體反應(yīng)器、機(jī)械卡盤(pán)、高壓電源;其中,主氣道調(diào)節(jié)閥位于主氣道上,次氣道調(diào)節(jié)閥位于次氣道上,次氣道上串接有氣液兩相混合腔,主氣道與次氣道分別與氣體混合腔相接,氣體混合腔依次通過(guò)一級(jí)分流閥、二級(jí)分流調(diào)節(jié)閥、二級(jí)分流閥后與等離子體反應(yīng)器相接,等離子體反應(yīng)器外接高壓電源,等離子體反應(yīng)器上的噴射口與機(jī)械卡盤(pán)對(duì)應(yīng)放置;所述絕緣子表面等離子體憎水性改性一體化處理方法包括以下步驟:
(1)絕緣子表面等離子體清潔處理;
(2)絕緣子表面等離子體憎水性改性處理;
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣子表面等離子體憎水性改性一體化處理方法,其特征是所述步驟(1)絕緣子表面等離子體清潔處理,包括以下步驟:
1)將絕緣子固定在機(jī)械卡盤(pán)上;
2)調(diào)節(jié)機(jī)械卡盤(pán)轉(zhuǎn)速;
3)打開(kāi)主氣道調(diào)節(jié)閥;
4)打開(kāi)二級(jí)分流調(diào)節(jié)閥;
5)施加高壓產(chǎn)生第一等離子體;
6)停轉(zhuǎn)機(jī)械卡盤(pán)撤去高壓;
7)檢查絕緣子表面清潔程度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣子表面等離子體憎水性改性一體化處理方法,其特征是所述調(diào)節(jié)機(jī)械卡盤(pán)轉(zhuǎn)速使絕緣子在絕緣子表面等離子體清潔過(guò)程中隨機(jī)械卡盤(pán)以每秒1°至10°的角速度勻速轉(zhuǎn)動(dòng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣子表面等離子體憎水性改性一體化處理方法,其特征是所述打開(kāi)主氣道調(diào)節(jié)閥和打開(kāi)二級(jí)分流調(diào)節(jié)閥后,在等離子體反應(yīng)器中通入惰性氣體;在等離子體反應(yīng)器內(nèi)對(duì)所通入的惰性氣體施加高壓產(chǎn)生第一等離子體;第一等離子體中含有有強(qiáng)氧化性和去污能力的氧原子和氫氧根活性粒子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣子表面等離子體憎水性改性一體化處理方法,其特征是所述步驟(2)絕緣子表面等離子體憎水性改性處理,包括以下步驟:
1)向氣液兩相混合器中添加憎水性物質(zhì);
2)打開(kāi)次氣道調(diào)節(jié)閥;
3)調(diào)節(jié)機(jī)械卡盤(pán)轉(zhuǎn)速;
4)施加高壓產(chǎn)生第二等離子體;
5)絕緣子表面憎水改性處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的絕緣子表面等離子體憎水性改性一體化處理方法,其特征是所述向氣液兩相混合器中添加憎水性物質(zhì)中添加的憎水性物質(zhì)包括四氯化硅、六甲基二硅醚、四甲基烷、三氯硅烷中的一種或幾種。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的絕緣子表面等離子體憎水性改性一體化處理方法,其特征是所述打開(kāi)次氣道調(diào)節(jié)閥,在次氣道中通入和主氣道相同的惰性氣體,次氣道中的惰性氣體流經(jīng)氣液兩相混合器后進(jìn)入氣體混合腔,在氣體混合腔內(nèi)次氣道中的惰性氣體和主氣道中的惰性氣體混合形成工作氣體,通過(guò)次氣道調(diào)節(jié)閥調(diào)節(jié)次氣道中惰性氣體經(jīng)過(guò)氣液兩相混合器時(shí)帶走憎水性物質(zhì)的量,進(jìn)而控制最終工作氣體中憎水性物質(zhì)的比例含量,工作氣體中憎水性物質(zhì)的體積含量控制在0.01%至0.2%之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的絕緣子表面等離子體憎水性改性一體化處理方法,其特征是所述調(diào)節(jié)機(jī)械卡盤(pán)轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)絕緣材料表面改性的速率,在憎水性改性過(guò)程中機(jī)械卡盤(pán)的轉(zhuǎn)速在每秒鐘1°至4°之間。
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