[發明專利]一種陣列基板、顯示裝置及其制作方法

在審

• 申請號: 201710294119.8
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN107026178A
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 劉兆松;徐源竣;李松杉
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 鐘子敏

本發明公開了一種陣列基板、顯示裝置及其制作方法。其中，陣列基板包括襯底基板和位于襯底基板上方的低溫多晶硅晶體管和氧化物晶體管；低溫多晶硅晶體管包括層疊設置的多晶硅層和第一絕緣層，第一絕緣層包括氧化硅層以及氮化硅層，其中氮化硅層位于多晶硅層和氧化硅層之間；氧化物晶體管包括層疊設置的氧化物半導體層和第二絕緣層，第二絕緣層不含氮化硅層。通過上述方式，有效降低了低溫多晶硅晶體管的漏電問題，同時提高氧化物晶體管的可靠性。

技術領域

本發明涉及平面顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板、顯示裝置及其制作方法。

背景技術

平面顯示器件具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點，得到了廣泛的應用?，F有的平面顯示器件主要包括液晶顯示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有機發光二極管顯示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)，而主動矩陣有機發光二極體(Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED)在能耗、色彩飽和度、對比度、柔性應用等方面相對于LCD有顯著優勢，被廣泛使用。

本申請的發明人在長期的研發中發現，由于主動矩陣有機發光二極體AMOLED面板為電流驅動，需要薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)具有較高的流動性?，F有技術中，將低溫多晶硅技術(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)與氧化物薄膜電晶體管(Oxide TFT)相結合，將其制備在同一器件中。然而，在制備過程中，如果ILD膜層選擇不當，則無法使多晶硅在氫化過程中得到充分的修復，最終導致漏電的后果，或者有過多的氫原子滲入氧化物半導體層，導致可靠度降低的問題。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種陣列基板、顯示裝置及其制作方法，通過上述方式，有效降低了低溫多晶硅晶體管的漏電問題，同時提高氧化物晶體管的可靠性。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種陣列基板，該陣列基板包括：襯底基板和位于襯底基板上方的低溫多晶硅晶體管和氧化物晶體管，襯底上設置有顯示區域和位于顯示區域周圍的非顯示區域，低溫多晶硅晶體管位于非顯示區域內，氧化物晶體管位于顯示區域內；低溫多晶硅晶體管包括層疊設置的多晶硅層和第一絕緣層，第一絕緣層包括氧化硅層以及氮化硅層，其中氮化硅層位于多晶硅層和氧化硅層之間；氧化物晶體管包括層疊設置的氧化物半導體層和第二絕緣層，第二絕緣層不含氮化硅層。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是：提供一種陣列基板的制備方法，該方法包括：在襯底基板上分別形成低溫多晶硅晶體管和氧化物晶體管，襯底上設置有顯示區域和位于顯示區域周圍的非顯示區域，低溫多晶硅晶體管位于非顯示區域內，氧化物晶體管位于顯示區域內；在襯底基板上方形成低溫多晶硅晶體管包括：在襯底基板上依次形成多晶硅層和第一絕緣層，第一絕緣層包括氧化硅層以及氮化硅層，其中氮化硅層靠近多晶硅層；在襯底基板上方形成氧化物晶體管包括：在襯底基板上依次形成第二絕緣層和氧化物半導體層，第二絕緣層不含氮化硅層。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是：提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的陣列基板，或者包括上述任意一項方法所制備的陣列基板。

本發明的有益效果是：通過在低溫多晶硅晶體管中層疊設置多晶硅層和包括氧化硅層及氮化硅層的第一絕緣層，以在多晶硅層上形成氧化硅加氮化硅的結構，并在氮化硅層形成的過程中產生大量的氫鍵，使得多晶硅層在氫化過程中得到充分的修復，有效降低了低溫多晶硅晶體管的漏電問題，同時，在氧化物晶體管中層疊設置氧化物半導體層和第二絕緣層，且第二絕緣層不含氮化硅層，使得氧化物半導體層不受氫鍵的影響，進而提高了氧化物晶體管的可靠性。

附圖說明

圖1是本發明陣列基板一實施方式的結構示意圖；

圖2是本發明陣列基板另一實施方式的結構示意圖；