[發明專利]一種單相CuO納米片陣列薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201710293724.3
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN106947995B
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 舒霞;吳玉程;王巖;崔接武;徐光青;秦永強;張勇
• 申請（專利權）人: 合肥工業大學
• 主分類號: C25D11/34
• 分類號: C25D11/34;C25D7/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 沈尚林

1.一種單相CuO納米片陣列薄膜，其特征在于：以高純銅材為基底材料，高純銅材上垂直生長有CuO納米片陣列薄膜，CuO納米片的厚度為10-30nm，CuO納米片的長度300-500nm，CuO納米片均勻致密生長于基底材料上，呈納米花狀，與基底材料結合牢固；

上述單相CuO納米片陣列薄膜采用如下方法制備而成：

在雙電極電化學反應體系中，以高純銅材作為陽極，以高純鈦片作為陰極，以氫氧化鈉、氯化鈉、聚乙二醇20000為基礎電解液，(NH₄)₆Mo₇O₂₄·4H₂O為形貌和相結構控制劑，采用恒電流陽極氧化工藝，制得單相CuO納米片陣列薄膜；

所述的高純銅材的純度≥99.99％，所述的高純鈦片的純度≥99.6％。

2.根據權利要求1所述的單相CuO納米片陣列薄膜，其特征在于：基礎電解液成分為：40-60g/L氫氧化鈉、100-150g/L氯化鈉、0.5-1.5g/L聚乙二醇20000，(NH₄)₆Mo₇O₂₄·4H₂O的添加量為5-60g/L。

3.根據權利要求1所述的單相CuO納米片陣列薄膜，其特征在于：以高純銅材作為陽極，以高純鈦片作為陰極，放入電解槽中，接上直流穩壓電源，選擇恒流模式；電解液溫度為65-70℃時，電流密度為0.5-1.5A/dm²，陽極氧化時間為20-60min。

4.根據權利要求1所述的單相CuO納米片陣列薄膜，其特征在于：所述的高純鈦片的有效面積為高純銅材有效面積的2.5-3.5倍。

5.根據權利要求1所述的單相CuO納米片陣列薄膜，其特征在于：高純銅材進行如下預處理：將高純銅材用蒸餾水清洗后，在RY-522銅化學拋光液中室溫下浸泡20-30s，然后取出用蒸餾水清洗后，再用10g/LNaOH中和處理后，用蒸餾水超聲波清洗干凈直接入槽陽極化。

6.根據權利要求1所述的單相CuO納米片陣列薄膜，其特征在于：所述的高純銅材為高純銅箔、高純銅網、高純銅板、高純銅帶中的一種。