[發明專利]凹部的填埋方法

有效

• 申請號: 201710293704.6
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN107452617B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 清水亮
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/318
• 分類號: H01L21/318
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種凹部的填埋方法，其重復進行成膜原料氣體吸附工序和氮化工序，從而在凹部內形成氮化膜而填埋凹部，

所述成膜原料氣體吸附工序：使表面形成有凹部的被處理基板吸附含有想要成膜的氮化膜的構成元素的成膜原料氣體；

所述氮化工序：通過活化氮化氣體而生成的氮化物種，使所述吸附的成膜原料氣體氮化；

所述方法中，將形成所述氮化膜的期間的至少一部分設為自下而上生長期間，在該自下而上生長期間，以氣相狀態供給能夠吸附于被處理基板的表面的高分子材料，使之吸附于所述凹部的上部，從而阻礙所述成膜原料氣體的吸附，使氮化膜自所述凹部的底部生長。

2.根據權利要求1所述的凹部的填埋方法，其特征在于，將形成所述氮化膜的最初的期間設為保形氮化膜形成期間，將其后的期間設為所述自下而上生長期間，

在所述保形氮化膜形成期間，在不供給所述高分子材料的條件下重復進行所述成膜原料氣體吸附工序和所述氮化工序，從而形成保形氮化膜。

3.根據權利要求1所述的凹部的填埋方法，其特征在于，所述自下而上生長期間依次重復：所述成膜原料氣體吸附工序、所述氮化工序、以及使所述高分子材料吸附于所述凹部的上部的高分子材料吸附工序。

4.根據權利要求2所述的凹部的填埋方法，其特征在于，所述自下而上生長期間依次重復：所述成膜原料氣體吸附工序、所述氮化工序、以及使所述高分子材料吸附于所述凹部的上部的高分子材料吸附工序。

5.一種凹部的填埋方法，其特征在于，在形成于被處理基板表面的凹部形成氮化膜而填埋凹部，其具有第1階段和第2階段，

第1階段：重復進行成膜原料氣體吸附工序和氮化工序從而在凹部內形成保形氮化膜，

所述成膜原料氣體吸附工序：吸附含有想要成膜的氮化膜的構成元素的成膜原料氣體，

所述氮化工序：通過活化氮化氣體而生成的氮化物種，使所述吸附的成膜原料氣體氮化；

第2階段：依次重復進行所述成膜原料氣體吸附工序、所述氮化工序和高分子材料吸附工序，從而阻礙所述成膜原料氣體的吸附，使氮化膜自所述凹部的底部生長，

所述高分子材料吸附工序：以氣相狀態供給能夠吸附于被處理基板表面的高分子材料，使之吸附于所述凹部的上部。

6.根據權利要求5所述的凹部的填埋方法，其特征在于，在所述第2階段之后還具有第3階段，所述第3階段重復進行所述成膜原料氣體吸附工序和所述氮化工序，從而形成保形氮化膜。

7.根據權利要求1～權利要求6的任一項所述的凹部的填埋方法，其特征在于，所述高分子材料吸附于通過所述氮化工序在被處理基板表面形成的NH基。

8.根據權利要求7所述的凹部的填埋方法，其特征在于，所述高分子材料是具有醚鍵的高分子材料。

9.根據權利要求8所述的凹部的填埋方法，其特征在于，所述具有醚鍵的高分子材料為選自乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚和三乙二醇二甲醚的至少一種。

10.根據權利要求1～權利要求6的任一項所述的凹部的填埋方法，其特征在于，所述成膜原料氣體含有Si，所述氮化膜為氮化硅膜。

11.根據權利要求10所述的凹部的填埋方法，其特征在于，所述成膜原料氣體為選自由二氯甲硅烷、一氯甲硅烷、三氯甲硅烷、四氯化硅和六氯乙硅烷組成的組中的至少一種。

12.根據權利要求1～權利要求6的任一項所述的凹部的填埋方法，其特征在于，作為所述氮化氣體使用NH₃氣。