[發明專利]一種錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201710293517.8
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN107119256B
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 朱嘉;顧帥;朱鵬臣
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/24;C23C14/58
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 萬婧

1.一種錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于：

（1）襯底準備：

襯底清洗后放入鍍膜儀真空腔室內備用；所述的襯底為摻氟氧化錫（FTO）、致密二氧化鈦、硅片、玻璃、多孔二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯；

（2）熱蒸發：

在惰性氣體保護下，通過循環水冷卻，循壞水的溫度控制在15-20℃，熱蒸發真空度：3×10^-4-6×10^-4Pa；

將無機物SnX₂粉末放入金屬蒸發舟內，蒸發電流為35A-47A，蒸發速度為2nm/s到4nm/s，沉積SnX₂薄膜，所述的X為鹵族元素；

將AX粉末加入坩堝或金屬蒸發舟中，控制蒸發溫度50-100℃或蒸發電流42-45A，保持蒸發速度2nm/s到4nm/s，沉積AX薄膜，所述的A為含銨根的離子或銫離子，所述的X為鹵族元素；

（3）溶劑退火：

在惰性氣體保護下，SnX₂和AX薄膜厚度比例為1.2:1-2.5:1，放置于提前預熱的加熱臺上，進行預熱，加入退火溶劑于培養皿上，將培養皿反扣于SnX₂和AX薄膜之上退火即可成膜；退火溶劑選擇N,N-二甲基甲酰胺（DMF）或二甲基亞砜（DMSO）或γ-丁內酯（GBL）；退火溫度為120-150℃，退火時間為5-10min。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的步驟（2）中所述金屬蒸發舟為鉭舟，電流為35-40A；金屬蒸發舟為鉬舟，電流為44-47A；金屬蒸發舟為鎢舟，電流為42-45A。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的步驟（2）中所述SnX₂為SnI₂和SnBr₂。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的步驟（2）中所述AX為CsI、CH₃NH₃I、NH=CHNH₃I、CH₃CH₂NH₃I中的一種。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的步驟（3）中N,N-二甲基甲酰胺用量為3-7μL。