[發明專利]一種多晶硅鑄錠的化料工藝

有效

• 申請號: 201710293299.8
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN107142518B
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 朱遠國;高明霞;張杰
• 申請（專利權）人: 山西潞安太陽能科技有限責任公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101
• 代理人: 李富元

1.一種多晶硅鑄錠的化料工藝，其特征在于：按照如下的步驟進行

步驟一、裝料，首先在坩堝里鋪一層20-30mm的碎硅片，然后把多晶邊皮、多晶頭尾、原生多晶、母合金裝到坩堝內，再把坩堝用叉車投到多晶鑄錠爐內；

步驟二、抽真空和檢漏，將多晶鑄錠爐內抽真空，當爐內壓力下降到0.03bar時，抽真空裝置開始檢漏，60S內壓力回升小于0.02bar時即為合格；

步驟三、預熱段，預熱段整個過程多晶鑄錠爐的頂部功率、側部功率、底部功率的功率比為8:9:8，預熱段分為前預熱段和后預熱段，在前預熱段，氬氣流量為0L/min，真空度為0.03mbar，持續時間180min，在后預熱段，氬氣流量為55L/min，真空度為600mbar，持續時間65min；

步驟四、升溫，將多晶鑄錠爐頂部溫度升至1550-1570℃，側部溫度升至1500-1520℃，底部溫度升至至1380-1390℃；

步驟五、熔融段，熔融段分為速熔、緩熔和慢熔三個階段；速熔，持續時間360min，頂部溫度維持 1550-1570℃，側部溫度維持1500-1520℃，底部溫度維持1380-1390℃；緩熔，持續時間300min，頂部溫度維持1550-1570℃，側部溫度降溫到1460-1470℃并維持，底部溫度降溫到1300-1320℃并維持；慢熔，頂部溫度維持1550-1570℃，側部溫度降溫到1430-1440℃并維持，底部溫度降溫到1250-1260℃并維持，持續時間120-300min后，用高純石英棒探測坩堝內硅料剩余情況，當籽晶層為5-10mm時，10min內快速打開底部熱門至20%，使頂部由1550-1570℃降至1440-1450℃，側部由1430-1440℃降至1414-1425℃，底部由1250-1260℃降至1200-1210℃；

步驟六、長晶，硅錠的生長過程，頂部由1440-1450℃降至1410-1420℃，側部由1414-1425℃降至1390-1400℃，底部由1200-1210℃降至1130-1150℃；

步驟七、退火冷卻，依次進行退火、冷卻，得到多晶硅錠。