[發明專利]傳感器封裝結構的制備方法和傳感器封裝結構在審
| 申請號: | 201710293294.5 | 申請日: | 2017-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN107068578A | 公開(公告)日: | 2017-08-18 |
| 發明(設計)人: | 李揚淵 | 申請(專利權)人: | 蘇州邁瑞微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳感器 封裝 結構 制備 方法 | ||
1.一種傳感器封裝結構的制備方法,其特征在于,包括:
提供芯片,所述芯片的第一表面形成有功能電路;
在所述芯片與所述第一表面相對的第二表面上形成植球,所述植球與所述功能電路電連接;
將所述芯片的第一表面和保護部的第一表面貼合;
在所述保護部的第一表面上方形成封裝層,所述封裝層包覆所述芯片;
對遠離所述保護部第一表面的封裝層和所述植球進行減薄形成焊盤,形成的所述焊盤為暴露出的所述植球的部分區域。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述芯片上形成有通孔;
所述在所述芯片與所述第一表面相對的第二表面上形成植球包括:
沿垂直于所述第一表面的方向,在所述芯片的第二表面上與各所述通孔正對的位置形成所述植球,其中所述植球通過所述通孔與所述功能電路電連接。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述芯片上開設有溝槽,所述溝槽內形成有通孔;
所述第二表面上形成的植球通過所述通孔與所述功能電路電連接。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,沿垂直于所述第一表面的方向,所述植球的高度大于或等于20um。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述保護部包括介電層,所述介電層的材料包括藍寶石、陶瓷、水晶或玻璃。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,將所述芯片的第一表面和保護部的第一表面貼合,包括:
將所述芯片的第一表面和保護部的第一表面通過連接膠貼合。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述對遠離所述保護部第一表面的封裝層和所述植球進行減薄形成焊盤包括:
切割和/或打磨所述封裝層和所述植球,暴露出所述植球的部分區域以形成所述焊盤。
8.一種傳感器封裝結構,其特征在于,包括:
芯片,所述芯片的第一表面形成有功能電路,與第一表面相對設置的第二表面之上形成與功能電路電連接的植球;
保護部,所述保護部的第一表面與所述芯片的第一表面貼合;
封裝層,所述封裝層位于保護部的第一表面上方,所述封裝層包覆所述芯片和植球;
所述封裝層遠離所述保護部第一表面的封裝層的表面設置有焊盤,所述焊盤為所述封裝層減薄后植球形成的截面,所述封裝層暴露出所述焊盤。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





