[發明專利]一種用于全角度發光器件的LED芯片電極結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201710293136.X
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN106972091A
• 公開（公告）日: 2017-07-21
• 發明（設計）人: 吳懿平;夏衛生;陳亮;區燕杰
• 申請（專利權）人: 珠海市一芯半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/40;H01L33/00
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司44102
• 代理人: 倫榮彪

1.一種用于全角度發光器件的LED芯片電極結構，其特征在于，包括LED芯片，于LED芯片上設有兩個焊接面，每個焊接面上設有由多層結構層疊組成的鋁合金電極；所述的鋁合金電極包括依次從電極面開始層疊的Cr層、第一Al層、Ti層、第二Al層或Al合金層。

2.根據權利要求1所述的用于全角度發光器件的LED芯片電極結構，其特征在于，所述LED芯片電極面的Cr層之下設有氮化鎵介質、金屬介質或透明材料介質。

3.根據權利要求2所述的用于全角度發光器件的LED芯片電極結構，其特征在于，所述的鋁或鋁合金層電極結構是依次層疊的Cr層、第一Al層、Ti層、第二Al層的層狀結構。

4.根據權利要求2所述的用于全角度發光器件的LED芯片電極結構，其特征在于，所述的鋁層或鋁合金層電極結構是依次生長的Cr層、第一Al層、Ti層、Al合金層的層狀結構。

5.根據權利要求3所述的用于全角度發光器件的LED芯片電極結構，其特征在于，所述的LED芯片為倒裝芯片結構。

6.根據權利要求4所述的用于全角度發光器件的LED芯片電極結構，其特征在于，所述LED芯片為正裝芯片結構。

7.根據權利要求7所述的用于全角度發光器件的LED芯片電極結構，其特征在于，所述的Al合金層為Al-Si合金層或Al-Cu合金層。

8.根據權利要求1至8任意一項所述的用于全角度發光器件的LED芯片電極結構，其特征在于，所述的Cr層、第一Al層、Ti層、第二Al層或Al合金層的層狀結構的厚度分別為：Cr層厚度為1-100A，第一Al層厚度為10-10000A，Ti層厚度為0-10000A，第二Al層或Al合金層厚度為100-100000A。

9.一種根據權利要求1的用于全角度發光器件的LED芯片電極結構的制備方法，其特征在于，該制備方法的步驟為：

依次在芯片預制備電極面的氮化鎵介質、金屬介質或透明材料介質上層疊Cr層、第一Al層、Ti層、第二Al層或Al合金層形成層疊結構的鋁合金電極，鋁合金電極的每層結構均采用蒸鍍或濺鍍的方式疊層二次，形成帶鋁合金電極的LED芯片結構。