[發(fā)明專(zhuān)利]測(cè)量半導(dǎo)體裝置的橫向擴(kuò)散長(zhǎng)度的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710292901.6
• 申請(qǐng)日: 2017-04-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108807203B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李家豪;林志鴻
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 世界先進(jìn)積體電路股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/66
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/66;G01B7/02
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 湯在彥;孫乳筍

1.一種測(cè)量半導(dǎo)體裝置的橫向擴(kuò)散長(zhǎng)度的方法，其特征在于，所述的方法包括:

提供一基底，所述基底具有一第一導(dǎo)電型；

在所述的基底上形成復(fù)數(shù)個(gè)寬度逐漸縮小的遮罩，所述的遮罩之間具有尺寸相同的復(fù)數(shù)個(gè)開(kāi)口；

經(jīng)由所述的開(kāi)口植入一摻質(zhì)于所述的基底，以形成復(fù)數(shù)個(gè)摻雜區(qū)，所述的摻雜區(qū)具有不同于所述的第一導(dǎo)電型的一第二導(dǎo)電型，其中所述的摻雜區(qū)的復(fù)數(shù)個(gè)間距逐漸縮小，直到兩相鄰摻雜區(qū)接觸，其中所述的間距具有一最小間距，且所述的最小間距鄰接所述的接觸的兩相鄰摻雜區(qū)的其中之一；

在所述的開(kāi)口中形成導(dǎo)電材料以各自在所述的摻雜區(qū)上形成復(fù)數(shù)個(gè)電極；

藉由測(cè)量到相鄰的兩電極之間的一短路現(xiàn)象，可得知所述的兩電極下方為所述的接觸的兩相鄰摻雜區(qū)，進(jìn)而找出鄰接所述的接觸的兩相鄰摻雜區(qū)的其中一的所述的最小間距的位置；以及

測(cè)量所述的最小間距上方的遮罩的寬度以計(jì)算所述的摻雜區(qū)的一橫向擴(kuò)散長(zhǎng)度。

2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量半導(dǎo)體裝置的橫向擴(kuò)散長(zhǎng)度的方法，其特征在于，所述的基底和所述的摻雜區(qū)具有相同的導(dǎo)電型，且所述的摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述的基底的摻雜濃度。

3.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量半導(dǎo)體裝置的橫向擴(kuò)散長(zhǎng)度的方法，其特征在于，所述的摻雜區(qū)的摻雜濃度相同。

4.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量半導(dǎo)體裝置的橫向擴(kuò)散長(zhǎng)度的方法，其特征在于，所述的摻雜區(qū)的摻雜濃度為10¹⁰cm^-3至10¹⁸cm^-3。

5.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量半導(dǎo)體裝置的橫向擴(kuò)散長(zhǎng)度的方法，其中所述的遮罩的寬度等幅度地縮小。

6.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量半導(dǎo)體裝置的橫向擴(kuò)散長(zhǎng)度的方法，其特征在于，所述的接觸的兩相鄰摻雜區(qū)不互相重迭。

7.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量半導(dǎo)體裝置的橫向擴(kuò)散長(zhǎng)度的方法，其特征在于，所述的橫向擴(kuò)散長(zhǎng)度為所述的最小間距上方的遮罩的寬度的一半。

8.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量半導(dǎo)體裝置的橫向擴(kuò)散長(zhǎng)度的方法，其特征在于，通過(guò)實(shí)施一離子布植制作工藝和一退火制作工藝植入所述的摻質(zhì)于所述的基底。

9.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量半導(dǎo)體裝置的橫向擴(kuò)散長(zhǎng)度的方法，其特征在于，所述的導(dǎo)電層直接接觸所述的摻雜區(qū)。

10.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量半導(dǎo)體裝置的橫向擴(kuò)散長(zhǎng)度的方法，其特征在于，所述的方法更包括在進(jìn)行電性測(cè)試之前，移除所述的遮罩。

11.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量半導(dǎo)體裝置的橫向擴(kuò)散長(zhǎng)度的方法，其特征在于，通過(guò)施加一電壓于相鄰的兩電極的其中一者，并將相鄰的兩電極的另外一者和所述的基底接地，以測(cè)量相鄰的兩電極之間的電性。