[發明專利]半導體裝置及其形成方法

有效

• 申請號: 201710292879.5
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN108807533B
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: 王琮玄;陳侃升;吳信霖;周永隆;魏云洲;李家豪;廖志成
• 申請（專利權）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 湯在彥;孫乳筍

1.一種半導體裝置的形成方法，其特征在于，所述的方法包括：

提供一半導體基板；

形成一柵極結構于所述半導體基板之上，其中所述的柵極結構包括:

一柵極介電層；

一柵極電極，形成于所述柵極介電層之上；

形成一暈狀植入區于所述柵極結構周圍及所述柵極結構下的半導體基板中，其中形成所述暈狀植入區的步驟包括：

斜角注入一P型雜質以形成所述暈狀植入區于所述柵極結構周圍及所述柵極結構下的半導體基板中；

形成一輕摻雜源極/漏極區于所述柵極結構兩側的半導體基板中，其中所述暈狀植入區鄰近于所述輕摻雜源極/漏極區；

形成一反向摻雜區于所述柵極結構下的半導體基板中且位于所述輕摻雜源極/漏極區及所述暈狀植入區之間；

其中形成所述反向摻雜區的步驟包括：

注入一第一雜質于所述柵極電極及所述半導體基板中，所述的第一雜質包括氮離子；以及

進行一熱處理以將所述第一雜質擴散驅入所述暈狀植入區鄰近于所述輕摻雜源極/漏極區的一部分中而形成所述反向摻雜區；

形成一側壁間隔物于所述柵極結構的側壁上；

形成一源極/漏極區于所述側壁間隔物兩側的半導體基板中； 以及

其中所述反向摻雜區的摻雜濃度低于所述暈狀植入區的摻雜濃度，所述的暈狀植入區及所述反向摻雜區的摻雜濃度比為20:3至20:16，且其中所述反向摻雜區分隔所述暈狀植入區與所述柵極結構；

所述的反向摻雜區的摻雜濃度朝著所述柵極結構的中心線逐漸增加。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，所述的半導體裝置系為NMOS裝置，且所述源極/漏極區系為N型摻雜區，所述暈狀植入區及所述反向摻雜區系為P型摻雜區。

3.如權利要求2所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，所述的方法更包括：

注入一井區P型雜質以形成一P型井區于所述半導體基板中；

其中所述NMOS裝置系形成于所述P型井區中。

4.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，形成所述側壁間隔物的步驟包括：

在625-750℃下沉積所述側壁間隔物于所述柵極結構的側壁上；其中所述熱處理是通過沉積所述側壁間隔物時的溫度進行。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，注入所述第一雜質于所述柵極電極及所述半導體基板中的步驟的注入能量為6keV~40keV且注入劑量為1E14-1E16atoms/cm²。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，所述的柵極介電層的一下部具有正電荷。

7.如權利要求6所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，所述的柵極介電層的下部的正電荷是通過所述熱處理形成。