[發(fā)明專利]顯示器裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710292000.7
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN107507906A
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發(fā)明（設計）人: 張嘉雄;洪挺凱;林小郎
• 申請（專利權）人: 群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L27/15
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 陳小雯

技術領域

本發(fā)明涉及顯示器裝置，特別是涉及顯示器裝置的制造方法。

背景技術

為滿足消費者對于高畫質顯示器裝置的需求，產業(yè)趨勢已轉向發(fā)展發(fā)光二極管(light emitting diode；LED)的技術。雖然普遍認為發(fā)光二極管是相對成熟的技術，但是發(fā)光二極管的技術進步，如微型發(fā)光二極管(micro-LED)(有時稱為“mLED”或“μLED”)的發(fā)展仍引人注目。然而，在發(fā)光二極管的實施中存在許多技術上的挑戰(zhàn)。

發(fā)明內容

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種顯示器裝置的制造方法，包含提供薄膜晶體管基板，其具有子像素位置及對應于子像素位置的薄膜晶體管，提供載體基板以支撐發(fā)光二極管，其中發(fā)光二極管具有第一電接點及第二電接點，轉移位于載體基板的發(fā)光二極管至薄膜晶體管基板，使得至少兩個發(fā)光二極管設置于子像素位置，以及固定發(fā)光二極管在薄膜晶體管基板的位置。

本發(fā)明還提供一種顯示器裝置的制造方法，包含提供薄膜晶體管基板，其具有子像素位置及薄膜晶體管，提供載體基板以支撐發(fā)光二極管，其中發(fā)光二極管具有第一電接點及第二電接點，轉移位于載體基板的發(fā)光二極管至薄膜晶體管基板，使得子像素位置設置對應的發(fā)光二極管，固定發(fā)光二極管在薄膜晶體管基板的位置，以及提供填充絕緣體使其接觸發(fā)光二極管的側壁。

附圖說明

圖1是顯示器裝置的示范實施例的平面示意圖，其繪示多個子像素；

圖2是顯示器裝置的示范實施例的剖面示意圖，其繪示圖1中沿剖面線2-2的子像素的細節(jié)；

圖3至圖5是制造顯示器裝置的方法的示范實施例的流程圖；

圖6A和圖6B是薄膜晶體管基板的示范實施例的剖面示意圖；

圖7是載體基板的示范實施例的剖面示意圖；

圖8是薄膜晶體管基板的示范實施例的剖面示意圖，其繪示絕緣層對轉移頭(transfer head)提供機械間隙(mechanical clearance)的細節(jié)；

圖9和圖10是測試設置在載體基板上的發(fā)光二極管的示范實施例的示意圖；

圖11A和圖11B是從載體基板的示范實施例的剖面示意圖，其繪示發(fā)光二極管的移除；

圖12A和圖12B是薄膜晶體管基板的示范實施例的剖面示意圖，其繪示配置發(fā)光二極管；

圖13A和圖13B是測試設置在薄膜晶體管基板上的發(fā)光二極管的示范實施例的示意圖；

圖14是具有沉積的填充絕緣體的薄膜晶體管基板的示范實施例的剖面示意圖；

圖15是修復的示范實施例的示意圖；

圖16是具有沉積的第一電極的薄膜晶體管基板的示范實施例的剖面示意圖；

圖17A是第一電極的示范實施例的平面示意圖；

圖17B是第一電極的另一示范實施例的平面示意圖；

圖18是具有導光層的薄膜晶體管基板的示范實施例的剖面示意圖；

圖19是具有波長轉換層的薄膜晶體管基板的示范實施例的剖面示意圖；

圖20是具有彩色濾光片的薄膜晶體管基板的示范實施例的剖面示意圖；

圖21是具有彩色濾光片的薄膜晶體管基板的另一示范實施例的剖面示意圖；

圖22是載體基板的另一示范實施例的示意圖，其繪示移除倒裝式發(fā)光二極管；

圖23是顯示器裝置的一部分的另一示范實施例的平面示意圖；

圖24是顯示器裝置的一部分的另一示范實施例的剖面示意圖；

圖25是發(fā)光二極管的另一示范實施例的示意圖。

符號說明

100、1000～顯示器裝置

102、104、106、670、674、675、676、677、678、682～子像素

112、114、116、458、460、520、522、552、554、684、686、850、852、952、954、1100～發(fā)光二極管

120～薄膜晶體管

122～箭頭

124、126～電接點

128～發(fā)光二極管底部

130～發(fā)光二極管頂部

138、350、400、450、500、580、600、800、1004～薄膜晶體管基板

140、730、894、1094～蓋板

150、200、300～方法