[發明專利]半導體存儲器裝置

有效

• 申請號: 201710291998.9
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN108022616B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 廣田彰宏
• 申請（專利權）人: 力晶積成電子制造股份有限公司
• 主分類號: G11C11/4091
• 分類號: G11C11/4091;G11C11/4074
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 徐協成

1.一種半導體存儲器裝置，在通常讀出或寫入模式與自動再新模式中進行選擇動作，包括：

感測放大器，具有第1電源中間節點及第2電源中間節點，且自連接于字線及位線的存儲器元件讀出數據；

第1開關元件，在所述感測放大器驅動時的第1期間，在將作為過驅動電壓的第1電源電壓連接于所述感測放大器的所述第1電源中間節點后，在所述感測放大器驅動時的第2期間，將比所述第1電源電壓低的作為陣列電壓的第2電源電壓連接于所述感測放大器的所述第1電源中間節點；

第2開關元件，在所述感測放大器的驅動時將規定的第4電源電壓連接于所述感測放大器的所述第2電源中間節點；

第1電容器，連接于所述過驅動電壓且對所述過驅動電壓進行充電；

第3開關元件，在所述自動再新模式時導通；以及

電壓產生部件，產生與所述第1電源電壓相同的第3電源電壓并經由所述第3開關元件與所述第1電源電壓并聯地施加。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器裝置，還包括第2電容器，所述第2電容器連接于所述第3電源電壓且對所述第3電源電壓進行充電。

3.如權利要求2所述的半導體存儲器裝置，其中將在所述自動再新模式時所述半導體存儲器裝置中經啟動的感測放大器的數量設為A、將在所述通常讀出或寫入模式時所述半導體存儲器裝置中經啟動的感測放大器的數量設為N、將所述第1電容器的電容值設為C1、將所述第2電容器的電容值設為C2時，以滿足下式的方式設定電容值C1、C2，

A/N＝(C1+C2)/C1。

4.如權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述第3開關元件為金屬氧化物半導體晶體管。

5.如權利要求2所述的半導體存儲器裝置，其中所述第3開關元件具有用于對所述第2電容器的電荷充分進行放電的驅動能力。

6.如權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中基于規定的模式信號所述第3開關元件在所述自動再新模式時導通，且在所述通常讀出或寫入模式時斷開。

7.一種半導體存儲器裝置，包括：

感測放大器，具有第1電源中間節點及第2電源中間節點，且自連接于字線及位線的存儲器元件讀出數據；

第1開關元件，在所述感測放大器驅動時的第1期間，在將作為過驅動電壓的第1電源電壓連接于所述感測放大器的所述第1電源中間節點后，在所述感測放大器驅動時的第1期間，將比所述第1電源電壓低的作為陣列電壓的第2電源電壓連接于所述第1電源中間節點；

第2開關元件，在所述感測放大器的驅動時將規定的第4電源電壓連接于所述感測放大器的所述第2電源中間節點；

第1電容器，連接于所述過驅動電壓且對所述過驅動電壓進行充電；

多個第3開關元件，具有連接于所述第1電容器的一端；

多個第2電容器，分別連接于所述多個第3開關元件的另一端；以及

控制電路，產生控制所述多個第3開關元件的導通或斷開的多個控制信號。

8.如權利要求7所述的半導體存儲器裝置，其中所述多個第3開關元件分別為金屬氧化物半導體晶體管。

9.如權利要求7所述的半導體存儲器裝置，其中所述第3開關元件具有用于對所述多個第2電容器的電荷充分進行充電或放電的驅動能力。

10.如權利要求7所述的半導體存儲器裝置，其中所述控制電路包含多根熔絲并且切斷規定的所述熔絲而將作為所述多個控制信號的多個熔絲信號輸出至所述多個第3開關元件。

11.如權利要求7所述的半導體存儲器裝置，其中在所述半導體存儲器裝置的內部測試時，所述控制電路將作為所述多個控制信號的多個內部測試信號輸出至所述多個第3開關元件。

12.如權利要求7所述的半導體存儲器裝置，其中以彼此相同或彼此不同的方式設定所述多個第2電容器的電容值。