[發明專利]一種高擺率快速瞬態響應LDO電路

有效

• 申請號: 201710291748.5
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN107092295B
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發明（設計）人: 明鑫;魏秀凌;高笛;張家豪;馬亞東;王卓;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學;電子科技大學廣東電子信息工程研究院
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 敖歡;葛啟函

1.一種高擺率快速瞬態響應LDO電路，其特征在于，包括由電流源(Ib)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第九NMOS管(MN9)、第十NMOS管(MN10)、第十一NMOS管(MN11)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第八PMOS管(MP8)、第九PMOS管(MP9)和第十PMOS管(MP10)組成的輸入級，第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第八NMOS管(MN8)和第二功率管(MN_P2)組成的NMOS跨導線性環，第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)和第七PMOS管(MP7)組成的PMOS跨導線性環，第三NMOS管(MN3)、第三PMOS管(MP3)、第十一PMOS管(MP11)、第十二NMOS管(MN12)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(Rc)、米勒補償電容(Cc)、輸出電容(Co)和第一功率管(MN_P1)，

第十NMOS管(MN10)的柵漏短接并連接第九NMOS管(MN9)和第十二NMOS管(MN12)的柵極以及電流源(Ib)，第八PMOS管(MP8)的柵漏短接并連接第九NMOS管(MN9)的漏極、第十PMOS管(MP10)和第十一PMOS管(MP11)的柵極，第九PMOS管(MP9)的柵漏短接并連接第十一NMOS管(MN11)的漏極和第三PMOS管(MP3)的柵極，第一NMOS管(MN1)的柵漏短接并連接第十一NMOS管(MN11)的柵極和第一PMOS管(MP1)的漏極，第二NMOS管(MN2)的柵漏短接并連接第二PMOS管(MP2)的漏極和第三NMOS管(MN3)的柵極，第一PMOS管(MP1)的柵極接基準電壓(VREF)，其源極接第二PMOS管(MP2)的源極和第十PMOS管(MP10)的漏極，第三PMOS管(MP3)、第八PMOS管(MP8)、第九PMOS管(MP9)、第十PMOS管(MP10)和第十一PMOS管(MP11)的源極接電源電壓(VDD)，第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第九NMOS管(MN9)、第十NMOS管(MN10)、第十一NMOS管(MN11)和第十二NMOS管(MN12)的源極接地；

第四NMOS管(MN4)的源極連接第三NMOS管(MN3)和第四PMOS管(MP4)的漏極以及第八NMOS管(MN8)的柵極，第七NMOS管(MN7)的柵漏短接并連接第四NMOS管(MN4)的柵極和第十一PMOS管(MP11)的漏極，第六NMOS管(MN6)的柵漏短接并連接第七NMOS管(MN7)的源極，第五NMOS管(MN5)的柵漏短接并連接第六NMOS管(MN6)的源極，第八NMOS管(MN8)的源極接第二功率管(MN_P2)的柵極，其漏極接電源電壓(VDD)，第二功率管(MN_P2)的源極、第五NMOS管(MN5)的源極接地；

第四PMOS管(MP4)的源極接第四NMOS管(MN4)和第三PMOS管(MP3)的漏極以及第七PMOS管(MP7)的柵極，第五PMOS管(MP5)的柵漏短接并連接第六PMOS管(MP6)的源極，第六PMOS管(MP6)的柵漏短接并連接第四PMOS管(MP4)的柵極和第十二NMOS管(MN12)的漏極，第五PMOS管(MP5)和第七PMOS管(MP7)的源極接電源電壓(VDD)；

第一功率管(MN_P1)的源極連接第二功率管(MN_P2)的漏極、第二PMOS管(MP2)的柵極和輸出電容(Co)的一端并作為所述高擺率快速瞬態響應LDO電路的輸出端，輸出電容(Co)的另一端接地，第一功率管(MN_P1)的柵極接第七PMOS管(MP7)的漏極和第三電阻(Rc)的一端，第三電阻(Rc)的另一端通過米勒補償電容(Cc)后連接第八NMOS管(MN8)的柵極，第一電阻(R1)接在第一功率管(MN_P1)的柵極和源極之間，第二電阻(R2)接在第八NMOS管(MN8)的源極和地之間，第一功率管(MN_P1)的漏極接電源電壓(VDD)。

2.根據權利要求1所述的高擺率快速瞬態響應LDO電路，其特征在于，所述第五PMOS管(MP5)和第六PMOS管(MP6)的尺寸相同。

3.根據權利要求2所述的高擺率快速瞬態響應LDO電路，其特征在于，所述第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)和第七NMOS管(MN7)的尺寸相同。