[發明專利]一種基于背面堿拋工藝的PERC電池制備方法在審
| 申請號: | 201710291360.5 | 申請日: | 2017-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN107068807A | 公開(公告)日: | 2017-08-18 |
| 發明(設計)人: | 瞿輝;徐春;曹玉甲;楊三川 | 申請(專利權)人: | 江蘇順風光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 213164 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 背面 工藝 perc 電池 制備 方法 | ||
1.一種基于背面堿拋工藝的PERC電池制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)制絨;
2)擴散;
3)背面酸洗;
4)背面拋光;
5)去磷硅玻璃;
6)背面ALD沉積氧化鋁;
7)正面PECVD沉積SiNx;
8)背面PECVD沉積疊層鈍化膜;
9)背面局部激光開口;
10)絲網印刷和燒結,
其中,步驟3)中硅片常溫經過背面酸洗機,酸槽中HF濃度3%~20%,步驟4)中背面拋光為槽式機內使用TMAH、拋光液以及水混合所配溶液對硅片背表面進行拋光,拋光后在HF溶液中去除PSG,TMAH濃度2%~5%,溫度40~80℃。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





