[發(fā)明專利]拋光墊修整器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710291237.3
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號(hào): CN107443250B
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳盈同
• 申請（專利權(quán)）人: 詠巨科技有限公司
• 主分類號(hào): B24B53/017
• 分類號(hào): B24B53/017;B24D18/00
• 代理公司: 北京市商泰律師事務(wù)所 11255
• 代理人: 毛燕生

1.一種拋光墊修整器，其特征在于包括：

一金屬基座，所述金屬基座具有一上表面以及一側(cè)壁面；

一微波吸收層，所述微波吸收層覆蓋所述金屬基座的所述上表面以及所述側(cè)壁面；以及

至少一研磨層，至少一所述研磨層設(shè)置于所述微波吸收層上，且所述研磨層具有多個(gè)分散設(shè)置的切削端部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于其中，所述微波吸收層的厚度介于1至100μm之間，且所述研磨層的厚度介于10至50μm之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于其中，所述微波吸收層為碳化物層、類鉆碳層或者是含有石墨的鉆石膜層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于其中，所述微波吸收層是含有石墨的鉆石膜層，所述研磨層是由微波電漿化學(xué)氣相沉積法所形成的鉆石鍍膜層，且所述微波吸收層的石墨含量及雜質(zhì)含量大于所述研磨層的石墨含量及雜質(zhì)含量。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于其中，所述金屬基座的材料為鉬、鎢、鈦、釩、不銹鋼、鎳或鉬、鎢、鈦、釩、不銹鋼、鎳的合金。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于其中，至少一所述研磨層完全或者部分覆蓋所述微波吸收層的一結(jié)合面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的拋光墊修整器，其特征在于其中，所述微波吸收層的所述結(jié)合面為一平坦表面，且所述微波吸收層的側(cè)表面為一粗糙表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于其中，所述微波吸收層與所述金屬基座包含同一種金屬原子，且所述金屬原子的濃度在所述微波吸收層的厚度方向上遞減。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于其中，所述微波吸收層被區(qū)分為一靠近所述金屬基座的過渡部分及一遠(yuǎn)離所述金屬基座的主體部分，所述過渡部分的材料的熱膨脹系數(shù)介于所述金屬基座的熱膨脹系數(shù)與所述主體部分的熱膨脹系數(shù)之間。

10.一種拋光墊修整器的制造方法，其特征在于包括：

提供一金屬基座，所述金屬基座具有一上表面以及一側(cè)壁面；

利用一種非微波電漿方法以形成一微波吸收層，所述微波吸收層完全覆蓋所述金屬基座的所述上表面與所述側(cè)壁面；以及

通過一微波電漿化學(xué)氣相沉積法，以形成一研磨層于所述微波吸收層上。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的拋光墊修整器的制造方法，其特征在于其中，所述微波吸收層為碳化物層、類鉆碳層或者含有石墨的鉆石膜層。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的拋光墊修整器的制造方法，其特征在于其中，所述非微波電漿方法是一種熱燈絲化學(xué)氣相沉積法、一種電漿輔助化學(xué)氣相沉積法、一種直流噴射法、一種熱陰極法、一種光照射式化學(xué)氣相沉積法或者一種物理氣相沉積法。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的拋光墊修整器的制造方法，其特征在于其中，所述金屬基座的材料為鉬、鎢、鈦、釩、不銹鋼、鎳或鉬、鎢、鈦、釩、不銹鋼、鎳合金。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的拋光墊修整器的制造方法，其特征在于所述微波吸收層的厚度介于1至100μm之間，且所述研磨層的厚度介于10至50μm之間。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的拋光墊修整器的制造方法，其特征在于其中，所述微波吸收層是含有石墨的鉆石膜層，所述研磨層是鉆石鍍膜層，且所述微波吸收層的石墨含量及雜質(zhì)含量大于所述研磨層的石墨含量及雜質(zhì)含量。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的拋光墊修整器的制造方法，其特征在于還包括：在形成所述微波吸收層之后，平坦化所述微波吸收層的一結(jié)合面，以使所述結(jié)合面的表面粗糙度低于所述微波吸收層的一側(cè)表面的表面粗糙度，其中，所述研磨層形成于所述結(jié)合面上。