[發(fā)明專利]一種三維細(xì)胞聚集培養(yǎng)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710290920.5
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN108795870A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秦建華;魏文博;王亞清;劉海濤
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所
• 主分類號: C12N5/10
• 分類號: C12N5/10;C12N5/09
• 代理公司: 沈陽晨創(chuàng)科技專利代理有限責(zé)任公司 21001
• 代理人: 鄭虹

1.一種三維細(xì)胞聚集培養(yǎng)方法，其特征在于：采用具有傾斜側(cè)壁的凹陷結(jié)構(gòu)的PDMS芯片內(nèi)，按照以下步驟進(jìn)行：

(1)將不同種類的細(xì)胞按照10⁵-10⁶個(gè)/毫升的細(xì)胞濃度接種在帶有凹陷結(jié)構(gòu)的芯片上，

(2)加入培養(yǎng)基繼續(xù)培養(yǎng)12-24小時(shí)后，細(xì)胞會聚集在凹陷結(jié)構(gòu)底部形成細(xì)胞團(tuán)，

(3)通過芯片形成的細(xì)胞團(tuán)可以繼續(xù)在芯片上培養(yǎng)，或取出后再另行培養(yǎng)。

2.按照權(quán)利要求1所述的一種三維細(xì)胞聚集培養(yǎng)方法，其特征在于所述的凹陷結(jié)構(gòu)的PDMS芯片為“金字塔”樣三維細(xì)胞聚集培養(yǎng)芯片。

3.按照權(quán)利要求2所述的一種三維細(xì)胞聚集培養(yǎng)方法，其特征在于所述“金字塔”樣三維細(xì)胞聚集培養(yǎng)芯片為凹陷陣列結(jié)構(gòu)的芯片，所述的凹陷為反金字塔結(jié)構(gòu)，該芯片利用傾斜曝光的軟光刻技術(shù)制備出具有“金字塔”樣結(jié)構(gòu)的模板，再利用該模板制備出聚二甲基硅氧烷(PDMS)芯片，在利用軟光刻進(jìn)行紫外曝光的時(shí)候，將曝光平臺改為可以調(diào)節(jié)傾斜角度以及可以自由旋轉(zhuǎn)的平臺。

4.按照權(quán)利要求1所述的一種三維細(xì)胞聚集培養(yǎng)方法，其特征在于步驟(1)中所述的細(xì)胞為干細(xì)胞、腫瘤細(xì)胞、組織細(xì)胞及其他細(xì)胞。

5.按照權(quán)利要求1所述的一種三維細(xì)胞聚集培養(yǎng)方法的應(yīng)用，其特征在于通過該方法形成的三維細(xì)胞球具有較好的均一性以及高通量，細(xì)胞球的尺寸約為200-400微米，在三維細(xì)胞球形成之后可應(yīng)用于干細(xì)胞誘導(dǎo)分化、藥物篩選、生理以及病理模型的建立及其他的生物學(xué)領(lǐng)域研究。