[發明專利]一種電鍍廢水深度處理工藝及系統

在審

• 申請號: 201710289960.8
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN106927642A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 譚劍聰;張偉鋒
• 申請（專利權）人: 東莞市科達環保工程有限公司
• 主分類號: C02F9/14
• 分類號: C02F9/14;C02F103/16
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司44215
• 代理人: 李月俄

1.一種電鍍廢水深度處理工藝，其特征在于，包括以下步驟：

A、回用水處理：

A1、預處理：將電鍍廢水進行分類別預處理，得到混合廢水；

A2、混凝沉淀：將步驟A1中的混合廢水進行混凝沉淀處理，得到沉淀和上清液；

A3、水解酸化處理：將步驟A2中的上清液進行水解酸化處理；

A4、A/O生化系統處理：將經過步驟A3處理后的出水送入A/O生化系統進行厭氧處理和好氧處理；

A5、UF超濾系統處理：步驟A4中經A/O生化系統處理后的出水進入UF超濾系統超濾,得到濾液；

A6、RO反滲透系統處理：將步驟A5得到的濾液送入RO反滲透系統，經RO反滲透系統處理后的水分為產水和濃鹽廢水，其產水可直接回用；

B、濃鹽廢水處理

B1、混凝沉淀：將步驟A6中得到的濃鹽廢水進行混凝沉淀處理，得到沉淀和上清液；

B2、水解酸化處理：將經步驟B1處理后的上清液進行水解酸化處理；

B3、A/O生化系統處理：將經過步驟B2處理后的出水送入A/O生化系統進行厭氧處理和好氧處理；

B4、曝氣生物濾池處理：A/O生化系統的出水進入曝氣生物濾池，經曝氣生物濾池處理后的出水可直接排放。

2.根據權利要求1所述的電鍍廢水深度處理工藝，其特征在于：在所述步驟B4之前將A/O生化系統的出水進行芬頓氧化處理；經芬頓氧化處理后的出水再進行混凝沉淀處理，最后經沉淀分離后的上清液進入步驟B4所述的曝氣生物濾池。

3.根據權利要求1所述的電鍍廢水深度處理工藝，其特征在于：所述步驟A3和B2中，水解酸化處理的具體工藝為：溶解氧的濃度為DO≤0.2mg/L，pH為6-8，處理時間為≥4h。

4.根據權利要求1所述的電鍍廢水深度處理工藝，其特征在于：所述步驟A4和B3中，A/O生化系統處理的具體工藝為：在缺氧池中投加葡萄糖，投加量為C:N:P=（80-120）：（3-5）：1，缺氧池溶解氧的濃度DO≤0.5mg/L；好氧池的溶解氧濃度DO≥2.0mg/L，污泥濃度為：2000-3000 mg/L，處理時間為≥6h。

5.一種如權利要求1-4任一所述的電鍍廢水深度處理工藝所使用的系統，其特征在于：包括依次連接的回用水處理系統和濃鹽廢水處理系統；

所述回用水系統包括依次連接的物化預處理系統、第一混凝沉淀池、第一水解酸化池、第一A/O生化系統、UF超濾系統、RO反滲透系統；

所述濃鹽廢水處理系統包括依次連接的第二混凝沉淀池、第二水解酸化池、第二A/O生化系統和曝氣生物濾池；

所述RO反滲透系統連接所述第二混凝沉淀池。

6.根據權利要求5所述的電鍍廢水深度處理系統，其特征在于：所述第一混凝沉淀池的入口、出口分別與所述物化預處理系統的出口、所述第一水解酸化池的入口連通，所述第一A/O生化系統的入口、出口分別與所述第一水解酸化池的出口、所述UF超濾系統的入口連通，所述RO反滲透系統的入口、出口分別與所述UF超濾系統的出口、第二混凝沉淀池的入口連通，所述第二水解酸化池的入口、出口分別與所述第二混凝沉淀池的出口、所述A/O生化系統的入口連通，所述A/O生化系統的出口與第二曝氣生物濾池的入口連通。

7.根據權利要求5所述的電鍍廢水深度處理系統，其特征在于：所述第一混凝沉淀池的出口包括第一排泥口和第一排液口，第一排液口與所述第一水解酸化池的入口連通；所述RO反滲透系統的出口包括產水口和濃水口，產水口用于排放回用產水，濃水口與所述第二混凝沉淀池的入口連通。

8.根據權利要求5所述的電鍍廢水深度處理系統，其特征在于：所述第二混凝沉淀池的出口包括第二排泥口和第二排液口，所述第二排泥口用于排放沉淀污泥，所述第二排液口與所述第二水解酸化池的入口連通。

9.根據權利要求5所述的電鍍廢水深度處理系統，其特征在于：所述第二A/O生化系統和所述曝氣生物濾池之間連接有芬頓氧化池，芬頓氧化池的入口、出口分別與第二A/O生化系統的出口、曝氣生物濾池的入口連通。

10.根據權利要求9所述的電鍍廢水深度處理系統，其特征在于：所述芬頓氧化池和所述曝氣生物濾池之間設置有第三混凝沉淀池，所述第三混凝沉淀池設置有入口、第三排泥口和第三排液口，其中，所述第三混凝沉淀池的入口、第三排液口分別與芬頓氧化池的出口、曝氣生物濾池的入口連通，第三排泥口用于排放沉淀污泥。