[發(fā)明專利]陣列基板以及制作方法、OLED器件及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710289732.0 | 申請日: | 2017-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN108807457B | 公開(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 趙德江 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 以及 制作方法 oled 器件 及其 顯示裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種陣列基板以及制作方法、OLED器件及其制作方法、顯示裝置,屬于顯示器領域。陣列基板包括:襯底基板、設置于襯底基板上的像素界定層和電極;像素界定層將襯底基板劃分為多個子像素區(qū)域,多個子像素區(qū)域排列成多行,每個子像素區(qū)域內均布置有電極;相鄰兩行子像素區(qū)域之間的像素界定層上設置有凹槽,凹槽的底部至襯底基板的距離大于子像素區(qū)域內電極的上表面至襯底基板的距離,凹槽與相鄰兩行子像素區(qū)域中的至少兩個同一顏色的子像素區(qū)域連通,每個與凹槽連通的子像素區(qū)域的像素界定層上設置有連通凹槽和子像素區(qū)域的缺口。通過向凹槽中滴入有機墨水實現(xiàn)OLED像素單元打印,且在打印時,噴頭需要執(zhí)行的噴墨次數(shù)較少。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示器領域,特別涉及一種陣列基板以及制作方法、OLED器件及其制作方法、顯示裝置。
背景技術
目前,常用的顯示器主要包括有機電致發(fā)光顯示器(英文Organic Light-Emitting Display,簡稱OLED)和液晶顯示器(英文Liquid Crystal Display,簡稱LCD)兩大類。其中,OLED的顯示面板主要包括陣列基板和蓋板,陣列基板上設置有OLED像素單元,蓋板蓋合在陣列基板上的OLED像素單元上方。
OLED像素單元包括依次設置于陣列基板上的一電極、有機薄膜層和另一電極,有機薄膜層主要包括層疊設置在電極上的空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層以及電子傳輸層。OLED像素單元的有機薄膜層的制作方法主要包括如下兩種:一種是蒸鍍方式,另一種是噴墨打印方式。其中,噴墨打印方式是指將液態(tài)有機材料均勻沉積形成有機薄膜層。
用于噴墨打印的噴墨打印設備包括并排設置的多個噴嘴,每列子像素區(qū)域對應一個噴嘴,打印時,通過移動噴嘴實現(xiàn)所有子像素區(qū)域的打印。具體地,在完成一行子像素區(qū)域的打印后,移動噴嘴進行下一行子像素區(qū)域的打印,每個噴嘴在每次移動后都需要執(zhí)行一次滴墨動作。對于每英寸像素數(shù)目(英文Pixels Per Inch,簡稱PPI)多的產(chǎn)品而言,每個噴頭需要執(zhí)行的噴墨次數(shù)較多,一方面控制難度大,另一方面可能存在連續(xù)噴墨造成墨滴大小不均勻的問題。
發(fā)明內容
為了解決現(xiàn)有噴墨打印方式制作OLED像素單元時,每個噴頭需要執(zhí)行的噴墨次數(shù)較多,一方面控制難度大,另一方面可能存在連續(xù)噴墨造成墨滴大小不均勻的問題,本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板以及制作方法、OLED器件及其制作方法、顯示裝置。所述技術方案如下:
第一方面,本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板,所述陣列基板包括:襯底基板、設置于所述襯底基板上的像素界定層和電極;所述像素界定層將所述襯底基板劃分為多個子像素區(qū)域,所述多個子像素區(qū)域排列成多行,每個所述子像素區(qū)域內均布置有所述電極;相鄰兩行所述子像素區(qū)域之間的所述像素界定層上設置有凹槽,所述凹槽的底部至所述襯底基板的距離大于所述子像素區(qū)域內電極的上表面至所述襯底基板的距離,所述凹槽與相鄰兩行所述子像素區(qū)域中的至少兩個同一顏色的子像素區(qū)域連通,每個與所述凹槽連通的子像素區(qū)域的像素界定層上設置有連通所述凹槽和子像素區(qū)域的缺口。
在本發(fā)明實施例的一種實現(xiàn)方式中,所述凹槽的底部的材料與用于形成所述子像素區(qū)域內的有機發(fā)光層的有機墨水的極性相反。
在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中,所述凹槽的底部至所述襯底基板的距離與所述子像素區(qū)域內電極的上表面至所述襯底基板的距離之差為1μm-2μm。
在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中,所述多個子像素區(qū)域包括紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域和藍色子像素區(qū)域,其中,所述紅色子像素區(qū)域和所述綠色子像素區(qū)域分別與不同的所述凹槽連通。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司,未經(jīng)京東方科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710289732.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





