[發明專利]一種陣列基板及其制作方法有效
| 申請號: | 201710289184.1 | 申請日: | 2017-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN107170749B | 公開(公告)日: | 2020-03-24 |
| 發明(設計)人: | 許傳志;謝正芳;汪梅林 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 201201 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制作方法 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括襯底基板、位于所述襯底基板一側的薄膜晶體管層、平坦化層、像素電極層、公共電極層以及第三金屬層,所述公共電極層復用為觸控電極,所述觸控電極包括多個觸控電極單元;所述薄膜晶體管層包括依次設置的柵極金屬層、第一絕緣層、有源層和源漏極金屬層,所述柵極金屬層和所述源漏極金屬層設置在所述平坦化層靠近所述襯底基板的一側,所述第三金屬層設置在所述平坦化層遠離所述襯底基板的一側;
所述像素電極層位于所述平坦化層遠離所述襯底基板的一側,所述公共電極層位于所述像素電極層遠離所述平坦化層的一側;或者,所述公共電極層位于所述第三金屬層遠離所述平坦化層的一側,所述像素電極層位于所述公共電極層遠離所述第三金屬層的一側;
其中,所述平坦化層上與所述第三金屬層對應的位置設有溝槽,所述第三金屬層形成在所述溝槽內;所述第三金屬層與所述像素電極層相互絕緣,且所述第三金屬層在所述襯底基板所在平面上的正投影與所述像素電極層在所述襯底基板所在平面上的正投影互不相交;所述第三金屬層包括多條觸控信號線,所述觸控信號線與對應的所述觸控電極單元電連接;
所述陣列基板還包括位于所述平坦化層遠離所述襯底基板一側的絕緣層和配向膜。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述溝槽的深度與所述第三金屬層的厚度相同。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述溝槽的寬度大于或等于所述第三金屬層的最大寬度。
4.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述平坦化層還設有第一連通過孔,所述第一連通過孔用于將所述像素電極層與所述源漏極金屬層電連接。
5.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述第一連通過孔包括第一過孔段和第二過孔段,所述第二過孔段靠近所述源漏極金屬層,所述第二過孔段靠近所述第一過孔段的一端的孔徑小于所述第一過孔段靠近所述第二過孔段的一端的孔徑,所述第一過孔段靠近所述第二過孔段一端的邊緣與所述第二過孔段靠近所述第一過孔段一端的邊緣之間的面為臺階面。
6.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述像素電極層與所述源漏極金屬層之間設有第二連通過孔,用于連接所述像素電極層與所述源漏極金屬層。
7.根據權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述第二連通過孔包括第三過孔段和第四過孔段,所述第三過孔段靠近所述源漏極金屬層,所述第四過孔段靠近所述第三過孔段的一端的孔徑大于所述第三過孔段靠近所述第四過孔段的一端的孔徑,所述第三過孔段靠近所述第四過孔段的一端的邊緣與所述第四過孔段靠近所述第三過孔段一端的邊緣之間的面形成臺階面。
8.根據權利要求5或7所述的陣列基板,其特征在于,所述臺階面和所述平坦化層遠離所述襯底基板的一側之間的距離與所述溝槽的深度相同。
9.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括顯示區和非顯示區,在所述非顯示區設置有集成電路;
所述觸控信號線在所述非顯示區通過所述柵極金屬層和/或所述源漏極金屬層與所述集成電路進行電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





