[發明專利]一種等離子體化學氣相沉積與磁控濺射或離子鍍復合的鍍覆方法有效
| 申請號: | 201710288933.9 | 申請日: | 2017-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN107142463B | 公開(公告)日: | 2019-03-05 |
| 發明(設計)人: | 莫強強 | 申請(專利權)人: | 湖州金象科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/27 | 分類號: | C23C16/27;C23C16/02;C23C14/06;C23C14/32;C23C14/35 |
| 代理公司: | 杭州千克知識產權代理有限公司 33246 | 代理人: | 裴金華 |
| 地址: | 313000 浙江省湖州市湖州經濟技*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 等離子體 化學 沉積 磁控濺射 離子鍍 復合 鍍覆 方法 | ||
1.一種等離子體化學氣相沉積與磁控濺射或離子鍍復合的鍍覆方法,其特征在于采用類金剛石碳膜的雙系統鍍覆裝置進行鍍覆;所述類金剛石碳膜的雙系統鍍覆裝置具有真空室,真空室中安置有線性離子源、中頻磁控濺射孿生靶和陰極電弧離子鍍蒸發離化源三大部件;其中線性離子源與中頻磁控濺射孿生靶復合,構成了鍍覆含氫類金剛石碳膜的系統;陰極電弧離子鍍與中頻磁控濺射孿生靶復合,構成了鍍覆不含氫類金剛石碳膜的系統;該裝置除上述三個主要部件外,同時配備有抽氣、加熱、充氣、控制部件。
2.如權利要求1所述的一種等離子體化學氣相沉積與磁控濺射或離子鍍復合的鍍覆方法,其特征在于:在同一真空室內,用磁控濺射或離子鍍技術制備合適的中間過渡層,然后用線性離子源進行等離子體化學氣相沉積法制備高性能類金剛石碳膜。
3.如權利要求2所述的等離子體化學氣相沉積與磁控濺射或離子鍍復合的鍍覆方法,其特征在于:以YT15硬質合金為基材,工藝流程依次為工件的預處理、鍍膜前的準備工作、抽真空、加熱和轟擊清洗、制備中間過渡層、鍍覆類金剛石碳膜、冷卻和工件取出。
4.如權利要求2所述的等離子體化學氣相沉積與磁控濺射或離子鍍復合的鍍覆方法,其特征在于:對于YT15硬質合金的基材,用中頻鉻孿生靶磁控濺射制備的鉻/氮化鉻復合膜是在硬質合金基體上鍍覆類金剛石碳膜的一種合適的中間過渡層。
5.如權利要求2所述的等離子體化學氣相沉積與磁控濺射或離子鍍復合的鍍覆方法,其特征在于:在工件形狀較為復雜、要求縮短沉積時間以及采用磁控濺射方法不易制備合適的中間過渡層情況下,采用離子鍍技術制備中間過渡層;具體為采用陰極電弧離子鍍技術,通過加強的冷卻、施加脈沖電流以及顆粒與等離子體分離的方法來抑制顆粒的發射。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





