[發明專利]具有銀納米層的粗糙引線框

有效

• 申請號: 201710288778.0
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN107644862B
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 王遠豐
• 申請（專利權）人: 意法半導體私人公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/60
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種引線框半導體封裝體，包括：

裸片焊盤，所述裸片焊盤具有粗糙化表面、在所述裸片焊盤的所述粗糙化表面的至少一部分上的Ag納米層以及在所述Ag納米層的至少一部分上的Ag微米層，所述裸片焊盤的外周邊上的所述Ag納米層從所述Ag微米層保持暴露；

包括Pb的焊料材料，所述焊料材料在所述Ag微米層上；

半導體芯片，所述半導體芯片通過所述焊料材料耦合到所述Ag微米層；

至少一條引線；以及

導電線，所述導電線具有耦合到所述半導體芯片的鍵合焊盤的第一端以及耦合到所述至少一條引線的第二端。

2.如權利要求1所述的引線框半導體封裝體，其中，所述裸片焊盤和至少一條引線包括銅或銅合金。

3.如權利要求1所述的引線框半導體封裝體，其中，所述Ag納米層位于所述裸片焊盤的所述整個粗糙化表面上。

4.如權利要求1所述的引線框半導體封裝體，其中，所述Ag納米層約為10納米厚。

5.如權利要求1所述的引線框半導體封裝體，其中，所述至少一條引線是多條引線，并且所述Ag納米層是第一Ag納米層，所述引線框半導體封裝體包括在所述多條引線上的第二Ag納米層。

6.如權利要求1所述的引線框半導體封裝體，其中，所述焊料材料是軟焊料材料。

7.如權利要求1所述的引線框半導體封裝體，其中，所述至少一條引線具有粗糙化表面。

8.一種用于制造半導體封裝體的方法，包括：

在裸片焊盤的粗糙化表面上形成Ag納米層；

在所述Ag納米層上形成Ag微米層，所述裸片焊盤的外周邊上的所述Ag納米層從所述Ag微米層保持暴露；以及

使用包括Pb的焊料材料以將半導體芯片耦合到所述裸片焊盤的所述Ag微米層。

9.如權利要求8所述的方法，其中，形成所述Ag納米層包括電鍍所述Ag納米層。

10.如權利要求8所述的方法，進一步包括對所述裸片焊盤的表面進行粗糙化以在形成所述Ag納米層之前形成所述粗糙化表面。

11.如權利要求8所述的方法，進一步包括將所述焊料材料滴涂在所述Ag微米層上，其中，使用所述焊料材料以將所述半導體芯片耦合到所述裸片焊盤包括回流所述焊料材料。

12.如權利要求11所述的方法，其中，回流所述焊料材料包括將所述焊料材料在360℃下暴露小于1分鐘。

13.如權利要求12所述的方法，其中，當回流所述焊料材料時，所述焊料材料形成中間材料，所述中間材料包括Ag和Pb。

14.如權利要求8所述的方法，其中，所述裸片焊盤由銅或銅合金制成。

15.一種引線框半導體封裝體，包括：

裸片焊盤，所述裸片焊盤具有粗糙化表面、位于所述粗糙化表面上的Ag納米層；

包括Pb的焊料材料，所述焊料材料在所述裸片焊盤上，所述裸片焊盤的外周邊上的所述Ag納米層從所述焊料材料保持暴露；

半導體芯片，所述半導體芯片通過所述焊料材料耦合到所述裸片焊盤；

多條引線，所述多條引線具有粗糙化表面；以及

導電線，所述導電線具有耦合到所述半導體芯片的鍵合焊盤的第一端以及耦合到所述多條引線的第二端。

16.如權利要求15所述的引線框半導體封裝體，其中，所述焊料材料是軟焊料。

17.如權利要求15所述的引線框半導體封裝體，其中，所述Ag納米層約為10納米厚。