[發明專利]FINFET及形成FINFET的方法

有效

• 申請號: 201710288728.2
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN107424933B
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發明（設計）人: 張哲誠;林志翰;曾鴻輝
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成鰭式場效應晶體管(FinFET)的方法，包括：

在襯底上方形成多層疊件，所述多層疊件包括交替的第一層和第二層；

圖案化所述多層疊件以形成鰭；

形成圍繞所述鰭的隔離區，所述鰭的上部在所述隔離區的頂面之上延伸；

在所述鰭的所述上部的側壁和頂面上形成柵疊件，所述柵疊件限定所述鰭的溝道區；

從所述鰭去除所述柵疊件限定的所述鰭的所述溝道區外的所述第一層，以在所述鰭的剩余的第二層之間形成空隙，其中，在去除所述第一層之后，所述鰭的所述溝道區包括所述第一層和所述第二層兩者；以及

從所述鰭中去除所述柵疊件外的所述第二層，去除所述第二層在所述鰭中形成凹槽，其中，在去除所述第二層之后，所述鰭的所述溝道區包括所述第一層和所述第二層兩者。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，去除所述第二層包括各向異性蝕刻所述第二層。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述鰭的所述凹槽中外延生長源極/漏極區。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，每個所述第一層均是壓縮應變的，并且每個所述第二層均是拉伸應變的。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，每個所述第一層均是拉伸應變的，并且每個所述第二層均是壓縮應變的。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述多層疊件包括應變層。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括：

圖案化所述多層疊件以形成多個鰭；以及

實施鰭切割工藝以去除所述多個鰭中的一些，其中，在所述鰭切割工藝之后，保留至少一個所述鰭。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，從所述鰭中去除所述柵疊件外的所述第一層包括在所述柵疊件外選擇性地蝕刻所述第一層。

9.一種形成鰭式場效應晶體管(FinFET)的方法，包括：

在襯底上方形成鰭，所述鰭包括交替的第一層和第二層；

形成圍繞所述鰭的隔離區，所述鰭的上部在所述隔離區的頂面之上延伸；

在所述鰭的所述上部的側壁和頂面上形成第一柵疊件，所述第一柵疊件限定所述鰭的溝道區；

從所述鰭選擇性地去除所述第一柵疊件限定的所述鰭的所述溝道區外的所述第一層，以在所述鰭的剩余的第二層之間形成空隙；以及

從所述鰭去除所述第一柵疊件外的所述第二層以在所述鰭中形成凹槽，其中，在去除所述第二層之后，所述鰭的所述溝道區包括所述第一層和所述第二層兩者。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括：

在所述鰭的所述凹槽中外延生長源極/漏極區。

11.根據權利要求9所述的方法，還包括：

在所述襯底上方形成多個鰭；以及

實施鰭切割工藝以去除所述多個鰭中的一些，其中，在所述鰭切割工藝之后，保留至少一個所述鰭。

12.根據權利要求9所述的方法，還包括：

用第二柵疊件替代所述第一柵疊件。

13.根據權利要求9所述的方法，其中，每個所述第一層均是壓縮應變的，并且每個所述第二層均是拉伸應變的。