[發明專利]具有熒光效應的碳納米點光刻膠及其成像方法

有效

• 申請號: 201710288631.1
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN107065436B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 陳高健;翁雨燕;李志運
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: G03F7/038
• 分類號: G03F7/038;G03F7/42;C09K11/65
• 代理公司: 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙) 32251
• 代理人: 陸金星

1.具有熒光效應的碳納米點光刻膠，其特征在于，包括：

a，用于電子束下自交聯的含糖聚合物，其側鏈具有糖環；

b，溶劑：水,

其中，

所述電子束的電壓為5kV～30kV、工作距離為5mm～20mm、光闌為5μm-30μm、曝光劑量為1000～10000μC/cm²，

所述含糖聚合物的結構如下：

其中，R₁：H、─CH₃；

R₂或者R₃：H、─CH₃，

R₄：糖環；

X：O、CH₂、─CO─、─CO─NH─、

R₅：H、─CH₃；

R₆或R₇：H、─CH₃，

R₈：─COOH、

所述含糖聚合物的分子量為800-1000000。

2.根據權利要求1所述的具有熒光效應的碳納米點光刻膠，其特征在于：所述含糖聚合物與水的質量比為1：10～1000000。

3.根據權利要求1～2任意一項所述的具有熒光效應的碳納米點光刻膠的成像方法，其特征在于，包括步驟：(1)將含糖聚合物溶于水，制得含糖聚合物光刻膠溶液；(2)將所述光刻膠溶液鋪在待處理基板表面，做成電子束光刻膠薄膜；(3)用電壓為5kV～30kV、工作距離為5mm～20mm、光闌為5μm-30μm、曝光劑量為1000～10000μC/cm²的電子束進行電子束曝光，在電子束的作用下，曝光區域發生自交聯，使得所述曝光區域的含糖聚合物發生交聯而不溶于水；并且在電子束曝光的位置形成納米級的碳點；(4)將其放到300-800nm波長范圍的波長光源下，具有熒光效應。

4.根據權利要求3所述的具有熒光效應的碳納米點光刻膠的成像方法，其特征在于，步驟(1)中，所述含糖聚合物光刻膠溶液的濃度為0.1mg/L～100g/L。

5.根據權利要求3所述的具有熒光效應的碳納米點光刻膠的成像方法，其特征在于，步驟(2)中，將所述光刻膠溶液鋪在待處理基板表面的方法為旋涂法或滴涂法中的任意一種，所述基板為硅片、ITO玻璃、表面具有金膜鍍層的石英片、表面具有銀膜鍍層的SiO₂片中的任意一種。

6.根據權利要求3所述的具有熒光效應的碳納米點光刻膠的成像方法，其特征在于，步驟(4)中，含糖聚合物薄膜在曝光點處形成碳納米點，碳納米點具有對應的量子熒光效應，在其對應波長紫外或可見光的激發下，產生熒光。