[發(fā)明專利]一種薄膜太陽能電池及其制備方法

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• 申請日: 2017-05-25
• 公開（公告）號: CN107039549A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 余鵬;王志明;王文昊;巫江;牛曉濱;姬海寧
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué);余鵬
• 主分類號: H01L31/0445
• 分類號: H01L31/0445;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 成都市集智匯華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)51237
• 代理人: 李華,溫黎娟

1.一種薄膜太陽能電池，包括：外延片，其特征在于，所述外延片包括由下往上依次設(shè)置的襯底、背電極層、光吸收層和正面電極層；所述外延片一側(cè)或兩側(cè)設(shè)有殼核納米結(jié)構(gòu)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述殼核納米結(jié)構(gòu)層由殼核納米顆粒形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述殼核納米顆粒包括：內(nèi)核和外殼；所述內(nèi)核為Au、Ag、Al或Cu，所述外殼為絕緣體、半導(dǎo)體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述外延片的上側(cè)設(shè)有所述殼核納米結(jié)構(gòu)層，所述殼核納米結(jié)構(gòu)層緊貼所述正面電極層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述光吸收層包括p型半導(dǎo)體層、n型半導(dǎo)體層中至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述p型半導(dǎo)體層為銅銦鎵硒半導(dǎo)體層、III-V族化合物半導(dǎo)體層、硅半導(dǎo)體層；所述n型半導(dǎo)體層為銅銦鎵硒半導(dǎo)體層、III-V族化合物半導(dǎo)體層、硅半導(dǎo)體層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述光吸收層和所述正面電極層之間設(shè)置減反射層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述減反射層為Si₃N₄反射層。

9.一種薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：在襯底上依次形成背電極層、光吸收層和正面電極層，得到外延片；在所述外延片的一側(cè)或兩側(cè)耦合殼核納米顆粒，得到所述薄膜太陽能電池。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，還包括以Au、Ag、Al或Cu為內(nèi)核材料，以絕緣體或半導(dǎo)體為外殼材料，采用液相還原法、溶劑熱合成法或合成法合成所述殼核納米顆粒。