[發明專利]LED可持續等光強照明集成控制電路

有效

• 申請號: 201710287408.5
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN107018597B
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 施朝霞;吳柯柯;楊章咪
• 申請（專利權）人: 浙江工業大學
• 主分類號: H05B33/08
• 分類號: H05B33/08
• 代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司 33201
• 代理人: 王兵;黃美娟

1.LED可持續等光強照明集成控制電路，由LED光強探測電路(1)、電流電壓轉換電路(2)、電位平移緩沖電路(3)、電壓比較放大電路(4)、低通濾波電路(5)所組成；

所述LED光強探測電路(1)中，輸出端與電流電壓轉換電路(2)的輸入端連接；

LED光強探測電路(1)由淺PN結光電二極管D1和深PN結光電二極管D2組成；所述淺PN結光電二極管D1和所述深PN結光電二極管D2是PNP的堆疊結構，所述淺PN結光電二極管D1和所述深PN結光電二極管D2陽極共用N結，并作為輸出端輸出兩個PN結的光電流之和I₁+I₂，所述淺PN結光電二極管D1和所述深PN結光電二極管D2陰極都接地；

所述電流電壓轉換電路(2)中，輸入端與LED光強探測電路(1)的輸出端相連，輸出端與電位平移緩沖電路(3)的輸入端連接；

電流電壓轉換電路(2)由PMOS管P1、P2、P3、P4和NMOS管N1組成；所述PMOS管P1源極接電源VDD，柵漏短接，漏極連所述PMOS管P3源極，所述PMOS管P3柵漏短接，漏極作為該電流電壓轉換電路(2)的輸入端，所述PMOS管P2源極接電源VDD，柵極接所述PMOS管P1柵極，漏極連所述PMOS管P4源極，所述PMOS管P4柵極接所述PMOS管P3柵極，漏極連所述NMOS管N1漏極，所述NMOS管N1柵極接電源VDD，源極接地，漏極為該電流電壓轉換電路(2)的輸出端；

所述電位平移緩沖電路(3)中，輸入端接電流電壓轉換電路(2)的輸出端，第一、二輸出端分別與電壓比較放大電路(4)的第一、二輸入端相連；

電位平移緩沖電路(3)由PMOS管P5、P6、P7和NMOS管N2、N3組成；所述PMOS管P5源極接電源VDD，柵極接所述PMOS管P6柵極，漏極接所述PMOS管P7源極，所述PMOS管P7漏極接地，源極和柵極分別作為該電位平移緩沖電路(3)的第一輸出端和輸入端，所述PMOS管P6源極接電源VDD，柵漏短接，漏極連所述NMOS管N2漏極，所述NMOS管N2柵漏短接，源極接所述NMOS管N3漏極，所述NMOS管N3柵漏短接，源極接地，柵極作為該電位平移緩沖電路(3)的第二輸出端；

所述電壓比較放大電路(4)中，第一、二輸入端分別連電位平移緩沖電路(3)的第一、二輸出端，輸出端連低通濾波電路(5)輸入端；

電壓比較放大電路(4)由PMOS管P8、P9和NMOS管N4、N5、N6以及電阻R1、R2組成；所述PMOS管P8源極接電源VDD，柵極連所述PMOS管P9柵極，漏極連所述NMOS管N4漏極，所述NMOS管N4源極接所述NMOS管N6漏極，柵極和源極分別作為該電壓比較放大電路(4)的第一輸入端和輸出端，所述NMOS管N6源極接地，柵極作為該電壓比較放大電路(4)的第二輸入端，所述PMOS管P9源極接電源VDD，柵漏短接，漏極接所述NMOS管N5漏極，所述NMOS管N5源極接所述NMOS管N6漏極，所述電阻R1一端接電源VDD，另一端接所述NMOS管N5柵極，所述電阻R2一端接地，另一端也連所述NMOS管N5柵極；

所述低通濾波電路(5)中，輸入端連電壓比較放大電路(4)的輸出端，控制信號從輸出端Vout輸出，該輸出端可以接LED的驅動元件；

低通濾波電路(5)由電阻R3和電容C1組成；所述電阻R3一端作為該低通濾波電路(5)的輸入端，另一端作為輸出端Vout，所述電容C1一端接地，另一端連該低通濾波電路(5)的輸出端。