[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710287331.1
• 申請(qǐng)日: 2017-04-27
• 公開（公告）號(hào): CN107123686B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周宏儒;趙永亮;畢鑫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，包括：位于基板上處于同層的第一柵極、源極和漏極，所述源極與所述第一柵極之間形成有第一缺口，所述漏極與所述第一柵極之間形成有第二缺口；覆蓋在所述第一柵極上的柵極絕緣層；覆蓋在所述源極、所述柵極絕緣層、所述漏極上以及填充在所述第一缺口及所述第二缺口的半導(dǎo)體層，從而簡(jiǎn)化了雙柵極薄膜晶體管的工藝流程，進(jìn)而提高產(chǎn)品的良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術(shù)

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)是目前的主流顯示產(chǎn)品，近年來各大面板廠商都在不斷擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，市場(chǎng)需求越來越大，提高生產(chǎn)效率和生產(chǎn)高質(zhì)量的液晶顯示產(chǎn)品是占領(lǐng)市場(chǎng)的關(guān)鍵。

現(xiàn)有技術(shù)中制作薄膜晶體管需要對(duì)柵極進(jìn)行單獨(dú)的一次圖案化工藝處理，然后在對(duì)源極和漏極進(jìn)行一次單獨(dú)的圖案化處理，在進(jìn)行柵極絕緣層的處理，在上述處理過程中，需要對(duì)柵極、源極和漏極分別進(jìn)行單獨(dú)處理，制作薄膜晶體管的工藝流程較為復(fù)雜，并且柵極與源極和漏極容易產(chǎn)生層間段差，增加了開路風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，以解決如何簡(jiǎn)化雙柵極薄膜晶體管的工藝流程，進(jìn)而提高產(chǎn)品的良率的問題。

為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管，包括：

位于基板上處于同層的第一柵極、源極和漏極，所述源極與所述第一柵極之間形成有第一缺口，所述漏極與所述第一柵極之間形成有第二缺口；

覆蓋在所述第一柵極上的柵極絕緣層；

覆蓋在所述源極、所述柵極絕緣層、所述漏極上以及填充在所述第一缺口及所述第二缺口的半導(dǎo)體層。

可選的，所述源極包括第一源極和第二源極，所述第一源極與所述第一柵極之間，以及第二源極與所述第一柵極之間分別形成有所述第一缺口。

可選的，所述第一缺口或所述第二缺口形狀包括下列形狀之一：為弧形、方形、W形。

可選的，所述薄膜晶體管還包括：

位于所述半導(dǎo)體層上的鈍化層；

位于所述鈍化層上的第二柵極，所述第二柵極位于所述第一柵極上方；所述第一柵極和所述第二柵極通過柵極連接線連接，所述第一源極和所述第二源極通過源極連接線連接。

為了解決上述問題，本發(fā)明還公開了一種顯示面板，包括權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。

為了解決上述問題，本發(fā)明還公開了一種顯示裝置，包括權(quán)利要求5所述的顯示面板。

為了解決上述問題，本發(fā)明還公開了一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

在基板上通過一次圖案化處理形成第一柵極、源極和漏極；所述源極與所述第一柵極之間形成有第一缺口，所述漏極與所述第一柵極之間形成有第二缺口；

在所述第一柵極上形成柵極絕緣層；

形成半導(dǎo)體層，其中，在所述第一柵極、所述源極和所述漏極上形成半導(dǎo)體層，且所述第一缺口和所述第二缺口中填充有半導(dǎo)體材料。

可選的，所述第一缺口或所述第二缺口形狀包括下列形狀之一：為弧形、方形、W形。

可選的，所述源極包括第一源極和第二源極，所述第一源極與所述第一柵極之間，以及第二源極與所述第一柵極之間分別形成有所述第一缺口。

可選的，所述方法還包括：

在所述半導(dǎo)體層上形成鈍化層；