[發明專利]一種去氣裝置有效
| 申請號: | 201710287321.8 | 申請日: | 2017-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN108807214B | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發明(設計)人: | 賈強;郭浩 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;羅瑞芝 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 裝置 | ||
1.一種去氣裝置,包括腔室和溫控單元,所述腔室的頂部設有介質窗,所述溫控單元包括溫度控制器、加熱部件和風扇,所述溫度控制器用于監測所述介質窗的溫度,所述加熱部件和所述風扇分別與所述溫度控制器連接,其特征在于,所述去氣裝置還包括位于所述介質窗上方、且與所述腔室同軸設置的風道控件,所述風道控件中開設有通風孔,所述風道控件能引導所述風扇產生的流動氣體經所述通風孔遍布所述介質窗;
所述通風孔由與所述腔室的中心軸相應位置處開設的圓形中心孔道和以所述圓形中心孔道依次往外同心排列的多個環形孔道組成,或者,所述通風孔由以所述腔室的中心軸相應位置處依次往外同心排列的多個環形孔道組成;其中,
所述環形孔道依次向外變角度擴張。
2.根據權利要求1所述的去氣裝置,其特征在于,所述環形孔道的縱向截面形狀為梯形,多個所述環形孔道的梯形傾斜度相對于所述風道控件的軸向依次向外增大。
3.根據權利要求2所述的去氣裝置,其特征在于,相鄰的所述環形孔道依次向外增大相同的角度。
4.根據權利要求1所述的去氣裝置,其特征在于,相鄰的兩個所述環形孔道之間,沿所述風道控件的徑向方向至少設置有一條加強筋。
5.根據權利要求1所述的去氣裝置,其特征在于,所述風道控件的縱向外部截面形狀為梯形或方形。
6.根據權利要求1-5任一項所述的去氣裝置,其特征在于,所述風道控件采用耐高溫的金屬材料形成,所述耐高溫的金屬材料包括不銹鋼、鋁。
7.根據權利要求1-5任一項所述的去氣裝置,其特征在于,所述溫控單元還包括至少一個溫度傳感器,所述溫度傳感器與所述溫度控制器連接,所述溫度傳感器設置于所述介質窗的表面或者內部。
8.根據權利要求1-5任一項所述的去氣裝置,其特征在于,所述腔室上方設置有支撐罩,所述風扇的數量至少為一個,所述風扇設置于所述支撐罩的中央位置的頂部,和/或,所述風扇以單圈或多圈的方式,沿圓周方向均勻設置于所述支撐罩的頂部和/或側面。
9.根據權利要求1-5任一項所述的去氣裝置,其特征在于,所述腔室上方設置有支撐罩,所述加熱部件固定于所述支撐罩上;所述加熱部件為鹵素燈和/或加熱器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





