[發明專利]一種垂直腔面發射激光器及其制作方法

有效

• 申請號: 201710287115.7
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN106887788B
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發明（設計）人: 張星;鐘礎宇;張建偉;寧永強;王立軍
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

1.一種垂直腔面發射激光器，包括：層疊設置的有源層、功能輔助層和P型分布式布拉格反射鏡層，所述功能輔助層和P型分布式布拉格反射鏡層構成臺面結構；其特征在于，

所述P型分布式布拉格反射鏡層設置有溝道；所述臺面結構被所述溝道分割成多個次臺面結構；

各所述次臺面結構的上端設置有與所述次臺面結構一一對應的P面電極，利用溝道將所述臺面結構分割成多個次臺面結構以形成多個波導，使得載流子分布和波導聯系起來，實現單個電極獨立控制單個模式輸出，多個電極混合控制少數模式輸出；

還包括：在所述次臺面結構和所述P面電極之間設置有介質薄膜電流限制層。

2.如權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述P面電極包覆部分所述P型分布式布拉格反射鏡層和部分所述有源層。

3.如權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，各所述次臺面結構的大小和形狀相同。

4.如權利要求1-3任一項所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，各所述次臺面結構的上端刻蝕有表面浮雕。

5.如權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述臺面結構為圓柱形臺面結構。

6.如權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述介質薄膜電流限制層的中端開有電流限制窗口。

7.如權利要求6所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述介質薄膜電流限制層的材料為氮化鋁、氮化硅、碳化硅或二氧化硅其中之一或組合。

8.一種如權利要求1-7所述垂直腔面發射激光器的制作方法，其特征在于，包括：

在有源層上依次形成功能輔助層和P型分布式布拉格反射鏡層的圖形；所述功能輔助層和P型分布式布拉格反射鏡層構成臺面結構；

在所述P型分布式布拉格反射鏡層圖形上刻蝕形成溝道的圖形；所述臺面結構被所述溝道分割成多個次臺面結構；

在各所述次臺面結構的上端形成與所述次臺面結構一一對應的P面電極的圖形；

在所述P型分布式布拉格反射鏡層圖形上刻蝕形成溝道的圖形之后，在各所述次臺面結構的上端形成與所述次臺面結構一一對應的P面電極的圖形之前，還包括：在各所述次臺面結構上形成介質薄膜電流限制層的圖形。

9.如權利要求8所述的垂直腔面發射激光器的制作方法，其特征在于，在所述P型分布式布拉格反射鏡層圖形上刻蝕形成溝道的圖形之后，在各所述次臺面結構的上端形成與所述次臺面結構一一對應的P面電極的圖形之前，還包括：

在各所述次臺面結構上形成介質薄膜電流限制層的圖形；所述介質薄膜電流限制層圖形的中端形成有電流限制窗口。