[發(fā)明專利]一種垂直腔面發(fā)射激光器及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710287115.7
• 申請(qǐng)日: 2017-04-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106887788B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張星;鐘礎(chǔ)宇;張建偉;寧永強(qiáng);王立軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所
• 主分類號(hào): H01S5/183
• 分類號(hào): H01S5/183
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

1.一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括：層疊設(shè)置的有源層、功能輔助層和P型分布式布拉格反射鏡層，所述功能輔助層和P型分布式布拉格反射鏡層構(gòu)成臺(tái)面結(jié)構(gòu)；其特征在于，

所述P型分布式布拉格反射鏡層設(shè)置有溝道；所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)被所述溝道分割成多個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

各所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端設(shè)置有與所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的P面電極，利用溝道將所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)分割成多個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)以形成多個(gè)波導(dǎo)，使得載流子分布和波導(dǎo)聯(lián)系起來(lái)，實(shí)現(xiàn)單個(gè)電極獨(dú)立控制單個(gè)模式輸出，多個(gè)電極混合控制少數(shù)模式輸出；

還包括：在所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)和所述P面電極之間設(shè)置有介質(zhì)薄膜電流限制層。

2.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述P面電極包覆部分所述P型分布式布拉格反射鏡層和部分所述有源層。

3.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，各所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的大小和形狀相同。

4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，各所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端刻蝕有表面浮雕。

5.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)為圓柱形臺(tái)面結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述介質(zhì)薄膜電流限制層的中端開(kāi)有電流限制窗口。

7.如權(quán)利要求6所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述介質(zhì)薄膜電流限制層的材料為氮化鋁、氮化硅、碳化硅或二氧化硅其中之一或組合。

8.一種如權(quán)利要求1-7所述垂直腔面發(fā)射激光器的制作方法，其特征在于，包括：

在有源層上依次形成功能輔助層和P型分布式布拉格反射鏡層的圖形；所述功能輔助層和P型分布式布拉格反射鏡層構(gòu)成臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

在所述P型分布式布拉格反射鏡層圖形上刻蝕形成溝道的圖形；所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)被所述溝道分割成多個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

在各所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端形成與所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的P面電極的圖形；

在所述P型分布式布拉格反射鏡層圖形上刻蝕形成溝道的圖形之后，在各所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端形成與所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的P面電極的圖形之前，還包括：在各所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)上形成介質(zhì)薄膜電流限制層的圖形。

9.如權(quán)利要求8所述的垂直腔面發(fā)射激光器的制作方法，其特征在于，在所述P型分布式布拉格反射鏡層圖形上刻蝕形成溝道的圖形之后，在各所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端形成與所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的P面電極的圖形之前，還包括：

在各所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)上形成介質(zhì)薄膜電流限制層的圖形；所述介質(zhì)薄膜電流限制層圖形的中端形成有電流限制窗口。