[發(fā)明專(zhuān)利]接觸探針、半導(dǎo)體元件試驗(yàn)裝置及半導(dǎo)體元件試驗(yàn)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710286564.X | 申請(qǐng)日: | 2017-04-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107505485B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吉田滿 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 富士電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01R1/073 | 分類(lèi)號(hào): | G01R1/073 |
| 代理公司: | 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 張?chǎng)?/td> |
| 地址: | 日本神*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 接觸 探針 半導(dǎo)體 元件 試驗(yàn)裝置 試驗(yàn) 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體元件試驗(yàn)裝置,其特征在于,包括:
試驗(yàn)臺(tái),該試驗(yàn)臺(tái)載放有半導(dǎo)體元件;
多個(gè)接觸探針,在進(jìn)行所述半導(dǎo)體元件試驗(yàn)時(shí),該多個(gè)接觸探針與載放在所述試驗(yàn)臺(tái)上的所述半導(dǎo)體元件的主電極接觸;
多個(gè)柱塞銷(xiāo),在進(jìn)行所述半導(dǎo)體元件試驗(yàn)時(shí),該多個(gè)柱塞銷(xiāo)與所述接觸探針接觸,并且將所述接觸探針向所述半導(dǎo)體元件的所述主電極按壓;
放置盤(pán),在不進(jìn)行所述半導(dǎo)體元件試驗(yàn)時(shí),該放置盤(pán)抬起所述接觸探針,使該接觸探針保持在與所述半導(dǎo)體元件的所述主電極分離的位置,在進(jìn)行所述半導(dǎo)體元件試驗(yàn)時(shí),該放置盤(pán)使所述接觸探針利用自重載放在所述半導(dǎo)體元件的所述主電極的規(guī)定位置;以及
底座單元,在不進(jìn)行所述半導(dǎo)體元件試驗(yàn)時(shí),該底座單元使所述柱塞銷(xiāo)保持在與所述接觸探針?lè)蛛x的位置,在進(jìn)行所述半導(dǎo)體元件試驗(yàn)時(shí),該底座單元使所述柱塞銷(xiāo)接觸并按壓載放在所述半導(dǎo)體元件的所述主電極上的所述接觸探針,
所述接觸探針具有:棱柱狀的主體,該主體具有與多個(gè)所述柱塞銷(xiāo)接觸的第1接觸面,和在與所述第1接觸面相反的一側(cè)、與所述半導(dǎo)體元件的所述主電極接觸的第2接觸面;以及突出部,該突出部突出地設(shè)置在所述第1接觸面的中央,并被所述柱塞銷(xiāo)中配置于中央的中央柱塞銷(xiāo)以高負(fù)荷按壓上表面,所述第1接觸面的位于所述突出部周?chē)纳媳砻媸潜慌渲糜谒鲋醒胫N(xiāo)周邊的多個(gè)周邊柱塞銷(xiāo)按壓的低負(fù)荷按壓面。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件試驗(yàn)裝置,其特征在于,
所述放置盤(pán)具有貫通孔,所述接觸探針被松動(dòng)地嵌入該貫通孔;
所述接觸探針在所述第1接觸面一側(cè)的周邊部具有凸緣部,該凸緣部防止所述接觸探針從所述貫通孔脫落。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件試驗(yàn)裝置,其特征在于,
所述接觸探針在所述第2接觸面上形成槽。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件試驗(yàn)裝置,其特征在于,
所述放置盤(pán)裝卸自由地安裝在能相對(duì)于所述試驗(yàn)臺(tái)升降的所述底座單元上。
5.一種半導(dǎo)體元件試驗(yàn)方法,對(duì)半導(dǎo)體元件的電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià),該半導(dǎo)體元件試驗(yàn)方法具有以下步驟:
使多個(gè)接觸探針利用自重載放在所述半導(dǎo)體元件的主電極上,該多個(gè)接觸探針在棱柱狀主體的與多個(gè)柱塞銷(xiāo)接觸的一側(cè)的接觸面的中央分別具有突出部;
分別使所述柱塞銷(xiāo)中配置于中央的中央柱塞銷(xiāo)與所述接觸探針的所述突出部抵接,保持所述接觸探針和所述半導(dǎo)體元件的主電極的平行度;以及
在各個(gè)所述接觸探針上,增加所述中央柱塞銷(xiāo)與所述突出部抵接時(shí)的負(fù)荷,并且使配置于所述中央柱塞銷(xiāo)周邊的多個(gè)周邊柱塞銷(xiāo)與所述突出部周?chē)慕佑|面以比所述中央柱塞銷(xiāo)要低的負(fù)荷抵接。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件試驗(yàn)方法,其特征在于,
所述柱塞銷(xiāo)具有負(fù)荷相同的彈簧,根據(jù)所述突出部從所述接觸面突出的突出量,對(duì)施加于所述突出部的負(fù)荷和施加于所述突出部周?chē)乃鼋佑|面的負(fù)荷的差進(jìn)行設(shè)定。
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G01R1-30 .電測(cè)量?jī)x器與基本電子線路的結(jié)構(gòu)組合,例如與放大器的結(jié)構(gòu)組合
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