[發(fā)明專利]法布里-珀羅諧振腔光纖傳感器及其制造和氣體檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710286511.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108801946B | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 靳偉;譚艷珍;楊帆;何海律 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 香港理工大學(xué)深圳研究院 |
| 主分類號(hào): | G01N21/31 | 分類號(hào): | G01N21/31 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人: | 陽開亮 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山區(qū)高新*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 法布里 諧振腔 光纖 傳感器 及其 制造 氣體 檢測(cè) 方法 | ||
本發(fā)明屬于氣體測(cè)量裝置技術(shù)領(lǐng)域,具體提供一種法布里?珀羅諧振腔光纖傳感器。所述光纖傳感器的結(jié)構(gòu)為單模光纖?介質(zhì)膜?空芯光子帶隙光纖?介質(zhì)膜?單模光纖,所述介質(zhì)膜與空芯光子帶隙光纖的距離均大于0而小于1μm,以便氣體進(jìn)入空芯光子帶隙光纖內(nèi)。本發(fā)明的法布里?珀羅諧振腔光纖傳感器,通過空芯光子帶隙光纖纖芯與兩端介質(zhì)膜組合形成的諧振腔,增加光與氣體相互作用的有效長度,從而實(shí)現(xiàn)氣體吸收信號(hào)的增強(qiáng),提高氣體探測(cè)靈敏度;與傳統(tǒng)光學(xué)諧振腔相比,無需復(fù)雜的對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng);而且空芯光子帶隙光纖形成的諧振腔可以實(shí)現(xiàn)傳感器小型化,極大的提高了傳感器的適用性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及氣體測(cè)量裝置技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種法布里-珀羅諧振腔光纖傳感器及其制造和氣體檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的直接吸收型光纖氣體測(cè)量裝置在測(cè)量過程中,大多是在自由空間的吸收氣室進(jìn)行,所采用的自由空間的吸收室如基于光纖準(zhǔn)直器的氣室、多程路徑氣室。
但是,基于光纖準(zhǔn)直器的氣室受對(duì)準(zhǔn)和損耗的影響,限制了光與氣體作用的有效長度。
雖然多程路徑氣室如White或者Herriott氣室等可以實(shí)現(xiàn)很長的有效吸收長度,但是其結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積龐大,不適合實(shí)際應(yīng)用。
于是人們采用空芯光子帶隙光纖同時(shí)作為光波導(dǎo)和吸收氣室。這種空芯光子帶隙光纖同時(shí)作為光波導(dǎo)和吸收氣室既可以保證光與氣體相互作用的長度,又可以將光纖盤繞成較小尺寸,能夠?qū)崿F(xiàn)結(jié)構(gòu)簡單、體積緊湊等特點(diǎn),但其響應(yīng)時(shí)間受到較長進(jìn)氣時(shí)間的限制。
在實(shí)際氣體測(cè)量應(yīng)用中,往往要求傳感器同時(shí)具有高探測(cè)靈敏度和快速響應(yīng)的特點(diǎn),如呼吸檢測(cè),電力系統(tǒng)故障氣體檢測(cè)等,而使用上述氣室很難同時(shí)滿足氣體傳感器高探測(cè)靈敏度和快速響應(yīng)的要求。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)目前直接吸收型光纖氣體測(cè)量裝置在測(cè)量過程中,探測(cè)靈敏度不高以及無法快速響應(yīng)等問題,本發(fā)明提供了一種法布里-珀羅諧振腔光纖傳感器。
為了達(dá)到上述發(fā)明目的,本發(fā)明采用了如下的技術(shù)方案:一種法布里-珀羅諧振腔光纖傳感器,包括軸心在同一條直線上且依次排布的第一標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯、第二標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯、第三標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯、第四標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯;
所述第一標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯和所述第二標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯通過第一套管實(shí)現(xiàn)套接,所述第三標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯和第四標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯通過第二套管實(shí)現(xiàn)套接;
還包括插接于所述第一標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯的第一單模光纖,插接于所述第四標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯的第二單模光纖及一端插接于所述第二標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯另一端插接于第三標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯的空芯光子帶隙光纖;所述第一單模光纖、第二單模光纖及空芯光子帶隙光纖與所述第一標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯均共軸;
所述第一單模光纖插接于所述第一標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯的內(nèi)徑里,并與所述第一標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯靠近所述第二標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯的端面齊平;
在所述第一單模光纖靠近所述第二標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯的端面以及所述第一標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯靠近所述第二標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯的端面上均鍍覆有第一介質(zhì)膜;與所述第一介質(zhì)膜正相對(duì)的所述第二標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯的端面到所述第一介質(zhì)膜的距離大于0而小于1μm;
所述第二單模光纖插接于所述第四標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯的內(nèi)徑里,并與所述第四標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯靠近所述第三標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯的端面齊平;
在所述第二單模光纖靠近所述第三標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯的端面以及所述第四標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯靠近所述第三標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯的端面上均鍍覆有第二介質(zhì)膜;與所述第二介質(zhì)膜正相對(duì)的所述第三標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯的端面到所述第二介質(zhì)膜的距離大于0而小于1μm;
所述空芯光子帶隙光纖的一端與所述第二標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯靠近所述第一標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯的端面齊平,另一端與所述第三標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯靠近所述第四標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插芯的端面齊平。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于香港理工大學(xué)深圳研究院,未經(jīng)香港理工大學(xué)深圳研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710286511.8/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





