[發明專利]一種具有抗菌性能的微圖形化表面制備方法

在審

• 申請號: 201710284286.4
• 申請日: 2017-04-26
• 公開（公告）號: CN107140599A
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發明（設計）人: 葛翔;魯雄;王科鋒;任富增;鄧曉帆;王瑾;楊蕾;劉偉峰;尚騰飛;丁永會;楊夢
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;A61L27/30;A61L27/50;B82Y40/00
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所12201
• 代理人: 程小艷

1.一種具有抗菌性能的微圖形化表面制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟(1)：在硅材質基底上制備出具有微/納尺度拓撲結構的框架；

步驟(2)：制備微圖形化表面，包括：制備純鈦微圖形化表面或制備二氧化鈦微圖形化表面；

所述步驟(1)中微/納尺度是指從十微米到十納米的尺度范圍；

所述步驟(1)中微/納尺度拓撲結構，包括：微/納尺度的柱狀陣列、突起陣列、凹坑陣列或溝槽陣列。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)中的制備純鈦微圖形化表面是采用磁控濺射法，將純鈦沉積在所述步驟(1)中的具有微/納尺度拓撲結構的框架上形成純鈦超薄涂層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)中的制備二氧化鈦微圖形化表面是先在具有微/納尺度拓撲結構的框架上沉積純鈦超薄涂層，后經氧化處理成為二氧化鈦超薄涂層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(1)中在硅材質基底上制備出微/納尺度拓撲結構的框架是采用光刻法，其工藝包括如下十四個步驟：光掩膜設計、熱氧化法生長二氧化硅膜層、沉積一層六甲基二硅氮烷、涂布光刻膠、預烘烤、紫外線曝光成像、曝光后烘烤、顯影、終烤、去除殘余光刻膠、蝕刻二氧化硅層、蝕刻硅基底、去除光刻膠層和去除二氧化硅層。