[發明專利]電極結構的制備方法、電極結構、薄膜晶體管及顯示裝置

有效

• 申請號: 201710283100.3
• 申請日: 2017-04-26
• 公開（公告）號: CN107068549B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 王久石;曹占鋒;姚琪;呂志軍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/3213;H01L29/786
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

本發明公開了一種電極結構的制備方法、電極結構、薄膜晶體管及顯示裝置，包括：在襯底基板上依次形成金屬薄膜層、多晶硅薄膜和光阻層；對光阻層進行曝光顯影，形成光阻層的圖形；保留光阻層的圖形下方對應的多晶硅薄膜，去除剩余其他區域的多晶硅薄膜；以光阻層的圖形為掩膜采用濕法刻蝕方法對金屬薄膜層進行構圖形成金屬電極的圖形；去除光阻層的圖形。在金屬薄膜層上形成光阻層之前在金屬薄膜層上形成了多晶硅薄膜，由于該多晶硅薄膜的表面凹凸不平，因此可以增加光阻層與金屬薄膜層表面的粘附力，從而在以光阻層的圖形為掩膜，采用濕法刻蝕方法對金屬薄膜層進行構圖時，光阻層不容易從金屬薄膜層的表面脫落，保證了刻蝕工藝的順利進行。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種電極結構的制備方法、電極結構、薄膜晶體管及顯示裝置。

背景技術

在制作薄膜晶體管的過程中，為了形成金屬電極的圖形，通常采用濕法刻蝕方法對金屬電極進行刻蝕，但是，在濕法刻蝕的過程中，光阻層容易從金屬電極表面脫落，影響刻蝕工藝的正常進行。

因此，如何在濕法刻蝕的過程中防止光阻層從金屬電極表面脫落是一個亟待解決的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了一種電極結構的制備方法、電極結構、薄膜晶體管的制備方法、薄膜晶體管及顯示裝置，用于解決采用濕法刻蝕時，金屬電極頂層的金屬表面與光阻層脫落的問題。

因此，本發明實施例提供了一種電極結構的制備方法，包括：

在襯底基板上形成金屬薄膜層；

在所述金屬薄膜層上依次形成多晶硅薄膜和光阻層；

對所述光阻層進行曝光顯影，形成光阻層的圖形；

保留所述光阻層的圖形下方對應的所述多晶硅薄膜，去除剩余其他區域的所述多晶硅薄膜；

以所述光阻層的圖形為掩膜，采用濕法刻蝕方法對所述金屬薄膜層進行構圖，形成金屬電極的圖形；

去除所述光阻層的圖形。

較佳地，在本發明實施例提供的上述制備方法中，在所述金屬薄膜層上形成多晶硅薄膜，具體包括：

在所述金屬薄膜層上沉積非晶硅薄膜；

對所述非晶硅薄膜進行晶化處理，形成多晶硅薄膜。

較佳地，在本發明實施例提供的上述制備方法中，所述多晶硅薄膜的厚度為10nm至100nm。

較佳地，在本發明實施例提供的上述制備方法中，去除剩余其他區域的所述多晶硅薄膜，具體為：

通過干法刻蝕或濕法刻蝕的方法去除剩余其他區域的所述多晶硅薄膜。

較佳地，在本發明實施例提供的上述制備方法中，在襯底基板上形成金屬薄膜層，包括：

在所述襯底基板上形成銅材料的薄膜層。

較佳地，在本發明實施例提供的上述制備方法中，在襯底基板上形成金屬薄膜層，還包括：

在所述襯底基板上形成銅材料的薄膜層之前，在所述襯底基板上形成第一擴散阻擋層；和/或

在所述襯底基板上形成銅材料的薄膜層之后，在所述銅材料的薄膜層上形成第二擴散阻擋層。

相應地，本發明實施例還提供了一種上述的制備方法制備的電極結構，所述電極結構包括：襯底基板，位于所述襯底基板上的金屬電極的圖形，以及位于所述金屬電極上的多晶硅薄膜。

相應地，本發明實施例還提供了薄膜晶體管的制備方法，包括形成柵電極的圖形、有源層的圖形和源漏電極的圖形，所述柵電極的圖形和/或所述源漏電極的圖形采用如上述任一項所述的制備方法制備。