[發明專利]使用照相法制造的無芯片射頻識別(RFID)有效
| 申請號： | 201710282720.5 | 申請日： | 2017-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN107368878B | 公開（公告）日： | 2020-01-21 |
| 發明（設計）人： | W·A·布加;G·A·吉布森 | 申請（專利權）人： | 施樂公司 |
| 主分類號： | G06K19/077 | 分類號： | G06K19/077;H01L21/027;G03F7/26 |
| 代理公司： | 31263 上海勝康律師事務所 | 代理人： | 李獻忠;張靜 |
| 地址： | 美國康*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 使用 照相 法制 芯片 射頻 識別 rfid | ||
1.一種用于形成射頻識別RFID裝置的方法，包括：
把包括光敏化合物的層涂覆到襯底上，其中包括所述光敏化合物的層具有從5.0毫克每平方米mg/m2到150mg/m2的銀濃度；
使包括所述光敏化合物的層的第一部分暴露于來自光源的光圖案，以把包括所述光敏化合物的層的所述第一部分轉化成金屬層，而包括所述光敏化合物的層的第二部分保持不暴露于所述光圖案；
去掉包括所述光敏化合物的層的所述第二部分并使所述金屬層保留在所述襯底上；
由所述金屬層形成RFID電路，其中由所述金屬層形成所述RFID電路形成至少一種天線；以及
形成完成的RFID應答器，其中，在形成所述完成的RFID應答器之后，所述至少一種天線沒有會增大或增強所述天線的導電性的附加的導電結構。
2.根據權利要求1所述的方法，還包括通過從所述光源發射光通過圖案化掩膜或標線，形成所述光圖案。
3.根據權利要求1所述的方法，還包括通過使用來自激光器的激光光束把所述光圖案直接寫到包括所述光敏化合物的層上，形成所述光圖案。
4.根據權利要求1所述的方法，其中由所述金屬層形成所述至少一種天線形成發射天線和接收天線中的至少一種。
5.根據權利要求1所述的方法，其中由所述金屬層形成所述RFID電路進一步包括由所述金屬層形成多諧振器。
6.根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬層是具有從100納米到800納米的厚度的銀層。
7.根據權利要求1所述的方法，其中包括所述光敏化合物的層具有從50mg/m2到150mg/m2的銀濃度。
8.根據權利要求1所述的方法，其中包括所述光敏化合物的層具有從100mg/m2到150mg/m2的銀濃度。
9.一種用于形成射頻識別RFID裝置的方法，包括：
把包括鹵化銀的層涂覆到襯底上，其中包括鹵化銀的層具有從5.0毫克每平方米mg/m2到150mg/m2的銀濃度；
使包括所述鹵化銀的層的第一部分暴露于來自光源的光圖案，以把包括所述鹵化銀的層的所述第一部分轉化成金屬層，而包括所述鹵化銀的層的第二部分保持不暴露于所述光圖案；
去掉包括所述鹵化銀的層的所述第二部分并使所述金屬層保留在所述襯底上；
形成RFID電路，其中所述RFID電路包括由所述金屬層形成的至少一種天線；以及
形成完成的RFID應答器，其中，在形成所述完成的RFID應答器之后，所述至少一種天線沒有會增大或增強所述天線的導電性的附加的導電結構。
10.根據權利要求9所述的方法，還包括通過從所述光源發射光通過圖案化掩膜或標線，形成所述光圖案。
11.根據權利要求9所述的方法，還包括通過使用來自激光器的激光光束把所述光圖案直接寫到包括所述鹵化銀的層上，形成所述光圖案。
12.根據權利要求9所述的方法，其中所述金屬層是具有從100納米到800納米的厚度的銀層。
13.根據權利要求9所述的方法，其中包括所述鹵化銀的層具有從50mg/m2到150mg/m2的銀濃度。
14.根據權利要求9所述的方法，其中包括所述鹵化銀的層具有從100mg/m2到150mg/m2的銀濃度。
15.根據權利要求9所述的方法，其中由所述金屬層形成所述RFID電路進一步形成多諧振器。
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