[發(fā)明專(zhuān)利]一種GIS振蕩沖擊耐壓試驗(yàn)用缺陷類(lèi)型識(shí)別方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710282557.2
• 申請(qǐng)日: 2017-04-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107037338B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張勇;周彥;劉斌;肖廣輝;查堅(jiān)卿;張善福;朱丹妮;姚明強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 國(guó)網(wǎng)上海市電力公司;西安茂榮電力設(shè)備有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/12
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/12
• 代理公司: 上海信好專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249
• 代理人: 朱成之

1.一種GIS振蕩沖擊耐壓試驗(yàn)用缺陷類(lèi)型識(shí)別方法，其特征在于，包含以下步驟：

步驟S1、利用GIS振蕩沖擊耐壓試驗(yàn)用信號(hào)檢測(cè)系統(tǒng)分別對(duì)具有不同放電缺陷的GIS試品進(jìn)行重復(fù)多次試驗(yàn)，獲取振蕩沖擊電壓波形下的局部放電數(shù)據(jù)；

步驟S2、主控顯示裝置利用自定義的脈沖提取窗對(duì)局部放電數(shù)據(jù)提取單個(gè)脈沖時(shí)域波形和對(duì)應(yīng)放電時(shí)刻，形成脈沖波形-時(shí)間序列；

步驟S3、主控顯示裝置利用等效周期折疊算法根據(jù)脈沖波形-時(shí)間序列形成等效相位-峰值分布圖；

步驟S4、主控顯示裝置利用統(tǒng)計(jì)算子對(duì)等效相位-峰值分布圖提取特征參數(shù)形成放電指紋；

步驟S5、主控顯示裝置將不同放電缺陷的放電指紋處理形成放電指紋庫(kù)；

步驟S6、主控顯示裝置利用BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)對(duì)放電指紋庫(kù)訓(xùn)練形成判別函數(shù)F；

步驟S7、通過(guò)步驟S1～步驟S4獲得待判別的缺陷GIS試品的放電指紋，主控顯示裝置利用判別函數(shù)F對(duì)該放電指紋進(jìn)行計(jì)算，識(shí)別缺陷的類(lèi)型；

所述的步驟S2中，所述的自定義的脈沖提取窗方法包含：

以振蕩沖擊電壓下的局部放電數(shù)據(jù)長(zhǎng)度為最大循環(huán)值，當(dāng)前數(shù)據(jù)的絕對(duì)值大于等于脈沖提取設(shè)置的閾值時(shí)，取當(dāng)前一定數(shù)據(jù)長(zhǎng)度k的局部放電數(shù)據(jù)組成脈沖波形，并以當(dāng)前數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的時(shí)刻作為提取脈沖波形對(duì)應(yīng)的時(shí)刻；

所述的脈沖波形-時(shí)間序列P(t_j)定義如下：

式中：j是第j個(gè)脈沖波形；t_j是第j個(gè)脈沖波形出現(xiàn)時(shí)間；k是每個(gè)脈沖波形由k個(gè)點(diǎn)組成；pⁱ是脈沖波形第i個(gè)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的幅值；Δt(i-1)是脈沖波形第i個(gè)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的時(shí)間，Δt為采樣時(shí)間間隔；

所述的步驟S3中，所述的等效周期折疊算法包含以下步驟：

步驟S3.1、對(duì)振蕩沖擊電壓波形進(jìn)行劃分，形成多個(gè)周期；

步驟S3.2、將脈沖波形-時(shí)間序列中的脈沖序列的放電時(shí)間t_j轉(zhuǎn)換成相位

步驟S3.3、計(jì)算脈沖序列的峰值U_p(j)；

步驟S3.4、形成等效相位-峰值分布圖：

2.如權(quán)利要求1所述的GIS振蕩沖擊耐壓試驗(yàn)用缺陷類(lèi)型識(shí)別方法，其特征在于，所述的放電缺陷包含：導(dǎo)桿毛刺放電、殼體毛刺放電、懸浮物放電、絕緣子污穢放電和絕緣子內(nèi)部氣隙放電。

3.如權(quán)利要求2所述的GIS振蕩沖擊耐壓試驗(yàn)用缺陷類(lèi)型識(shí)別方法，其特征在于，所述的局部放電數(shù)據(jù)包含：局部放電脈沖電流信號(hào)、局部放電電磁波信號(hào)和試驗(yàn)電壓波形數(shù)據(jù)。

4.如權(quán)利要求3所述的GIS振蕩沖擊耐壓試驗(yàn)用缺陷類(lèi)型識(shí)別方法，其特征在于，所述的步驟S4中，所述的統(tǒng)計(jì)算子包含：中值Mv、偏斜度Sk、突出度Ku、局部峰個(gè)數(shù)Pk、放電不對(duì)稱(chēng)度Asy和互相關(guān)因子Cc。