[發明專利]螺旋盤形分布功能層的光電探測器有效
| 申請號： | 201710282410.3 | 申請日： | 2017-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN106972071B | 公開（公告）日： | 2019-03-01 |
| 發明（設計）人： | 黃曉敏 | 申請（專利權）人： | 深圳市弘正光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0352 | 分類號： | H01L31/0352;H01L31/109 |
| 代理公司： | 北京風雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人： | 于曉霞 |
| 地址： | 518125 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 螺旋 分布 功能 光電 探測器 | ||
1.一種螺旋盤形分布功能層的光電探測器，其特征在于，包含：
絕緣性基板；
基板上形成螺旋盤形的p型AlGaAs層，并且所述螺旋盤形的空隙也是螺旋盤形且兩者互補，在所述p型AlGaAs層螺旋盤形的空隙中形成n型GaAs層；
所述p型AlGaAs層和所述n型GaAs層在一層內，且形成光電探測器的功能層；
在所述p型AlGaAs層和所述n型GaAs層上方分別形成對應的螺旋盤形細柵線；
形成細柵線后在上表面形成氟化鎂層；
探測時，光從側面進入所述功能層。
2.如權利要求1所述的螺旋盤形分布功能層的光電探測器，其特征在于，所述細柵線在功能層一側引出，并連接至探測電路的電極。
3.如權利要求2所述的螺旋盤形分布功能層的光電探測器，其特征在于，所述氟化鎂層上還形成有氮化硅層。
4.如權利要求1所述的螺旋盤形分布功能層的光電探測器，其特征在于，所述p型AlGaAs層和所述n型GaAs層形成后進行退火處理。
5.如權利要求4所述的螺旋盤形分布功能層的光電探測器，其特征在于，所述細柵線的寬度是所述p型AlGaAs層和所述n型GaAs層螺旋盤形一段的寬度的1/9-1/2。
6.如權利要求1所述的螺旋盤形分布功能層的光電探測器，其特征在于，所述螺旋盤形的寬度始終保持相同。
7.如權利要求6所述的螺旋盤形分布功能層的光電探測器，其特征在于，所述p型AlGaAs層和所述n型GaAs層螺旋盤形在中心的交匯處設置絕緣材料進行間隔。
8.如權利要求1所述的螺旋盤形分布功能層的光電探測器，其特征在于，所述螺旋盤形的寬度從里到外寬度逐漸變大。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
