[發(fā)明專利]真空排水裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710281447.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108807137A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-11-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 謝晶偉;劉豫東;劉雅茹;邊曉東;劉玉倩;高榮榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京半導(dǎo)體專用設(shè)備研究所(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所) |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京中建聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11004 | 代理人: | 朱麗巖;葉民生 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 真空排水裝置 排液 過(guò)濾器 真空發(fā)生器 隔膜閥 晶圓 排水電磁閥 單向活門 排液效率 陶瓷吸盤 吸附 正壓 壓力表 濕法清洗設(shè)備 過(guò)濾減壓閥 化學(xué)清洗液 壓力傳感器 真空電磁閥 真空隔膜閥 晶圓清洗 排水裝置 生產(chǎn)安全 使用壽命 真空壓力 真空泵 負(fù)壓 破碎 流出 保證 | ||
1.一種真空排水裝置,包括氣源(14)以及傳統(tǒng)濕法清洗設(shè)備中的陶瓷吸盤(15),其特征在于:所述氣源(14)出口分為兩路,一路通過(guò)PFA軟管依次連接正壓隔膜閥(10)、真空發(fā)生器(9)、負(fù)壓隔膜閥(8)、過(guò)濾器(7)、單向活門(6)以及陶瓷吸盤(15),另一路通過(guò)PFA軟管與過(guò)濾減壓閥(1)連接,所述過(guò)濾器(7)還連接排液隔膜閥(4),所述單向活門(6)與陶瓷吸盤(15)之間的真空管路上設(shè)有帶壓力傳感器的壓力表(5);所述過(guò)濾減壓閥(1)的出口分為兩路,一路通過(guò)PFA軟管與真空電磁閥(2)的進(jìn)氣接頭連接,另一路與排水電磁閥(3)的進(jìn)氣接頭連接,所述真空電磁閥(2)的出氣口分為兩路,一路與正壓隔膜閥(10)受控端連接,另一路與負(fù)壓隔膜閥(8)受控端連接,所述排水電磁閥(3)的出氣口分為兩路,一路與排液隔膜閥(4)的受控端連接,另一路與負(fù)壓隔膜閥(8)和過(guò)濾器(7)之間的真空管路連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空排水裝置,其特征在于:所述過(guò)濾器(7)上設(shè)有高液位傳感器(11)、低液位傳感器(12)和排放口(13),所述排放口(13)連接排液隔膜閥(4),所述過(guò)濾器(7)上的高液位傳感器(11)、低液位傳感器(12)以及帶壓力傳感器的壓力表(5)均與程控系統(tǒng)有線連接,所述真空電磁閥(2)和排水電磁閥(3)均與程控系統(tǒng)有線連接,且工作狀態(tài)互為相反。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空排水裝置,其特征在于:所述真空電磁閥(2)在通電狀態(tài)下排水電磁閥電磁(3)處在斷電狀態(tài),真空電磁閥(2)在斷電狀態(tài)下排水電磁閥電磁(3)處在通電狀態(tài),所述真空電磁閥(2)在通電狀態(tài)下,正壓隔膜閥(10)和負(fù)壓隔膜閥(8)處在打開(kāi)狀態(tài),真空電磁閥(2)處在斷電狀態(tài)下,正壓隔膜閥(10)和負(fù)壓隔膜閥(8)處在關(guān)閉狀態(tài),所述排水電磁閥(3)在通電狀態(tài)下,排液隔膜閥(4)處在打開(kāi)狀態(tài),過(guò)濾器(7)處在正壓狀態(tài),排水電磁閥(3)在斷電狀態(tài)下,排液隔膜閥(4)處在關(guān)閉狀態(tài)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





