[發明專利]多次可程式閃存單元陣列及其操作方法、存儲器件

有效

• 申請號: 201710279686.6
• 申請日: 2017-04-26
• 公開（公告）號: CN108806751B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 葉曉;金鳳吉
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G11C16/22
• 分類號: G11C16/22;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 張海強

1.一種多次可程式閃存單元陣列，其特征在于，包括：m×n個多次可程式閃存單元；其中，m≥1，n≥1，且m和n為整數；

所述多次可程式閃存單元包括：襯底以及位于所述襯底上的第一選擇晶體管、第二選擇晶體管、第一浮柵晶體管和第二浮柵晶體管；

其中，所述第一浮柵晶體管的源極連接至所述第一選擇晶體管的漏極，所述第一浮柵晶體管的漏極連接至所述第二浮柵晶體管的漏極，所述第二浮柵晶體管的源極連接至所述第二選擇晶體管的漏極，第j列多次可程式閃存單元中第一浮柵晶體管的控制柵和第二浮柵晶體管的控制柵連接至第j條字線，其中1≤j≤m；

其中，所述第一選擇晶體管的源極和所述第二選擇晶體管的源極均連接至共源極線；

第i行多次可程式閃存單元中第一浮柵晶體管的漏極連接至第i條位線，1≤i≤n；

其中，對第i行、第j列的多次可程式閃存單元中的第一浮柵晶體管進行編程操作的條件如下：

第i條位線施加有電壓-Vcc2；

除第i條位線之外的其他位線施加有電壓Vcc2；

第i行、第j列的多次可程式閃存單元中的第一選擇晶體管的柵極施加有電壓Vcc1；

第j條字線施加有0-VPP的電壓；

除第j條字線之外的其他字線施加有0V電壓；

所述共源極線和所述襯底施加有電壓Vcc2；

其中，0VVcc1Vcc2VPP。

2.根據權利要求1所述的多次可程式閃存單元陣列，其特征在于，

所述第一浮柵晶體管的控制柵與其下方的浮柵不對齊；

所述第二浮柵晶體管的控制柵與其下方的浮柵不對齊。

3.根據權利要求1所述的多次可程式閃存單元陣列，其特征在于，

第j列中除第i行之外的其他多次可程式閃存單元中的第一選擇晶體管的柵極施加有電壓Vcc1。

4.根據權利要求1所述的多次可程式閃存單元陣列，其特征在于，

第i行、第j列的多次可程式閃存單元中的第二選擇晶體管的柵極施加有電壓Vcc2。

5.根據權利要求1所述的多次可程式閃存單元陣列，其特征在于，

第j列中除第i行之外的其他多次可程式閃存單元中的第二選擇晶體管的柵極施加有電壓Vcc2。

6.根據權利要求1所述的多次可程式閃存單元陣列，其特征在于，對第i行、第j列的多次可程式閃存單元中的第二浮柵晶體管進行編程操作的條件如下：

第i條位線施加有電壓-Vcc2；

第i行、第j列的多次可程式閃存單元中的第二選擇晶體管的柵極施加有電壓Vcc1；

第j條字線施加有0-VPP的電壓；

所述共源極線和所述襯底施加有電壓Vcc2；

其中，0VVcc1Vcc2VPP。

7.根據權利要求6所述的多次可程式閃存單元陣列，其特征在于，在對第i行、第j列的多次可程式閃存單元中的第二浮柵晶體管進行編程操作的條件中：

除第i條位線之外的其他位線施加有電壓Vcc2；

第j列中除第i行之外的其他多次可程式閃存單元中的第二選擇晶體管的柵極施加有電壓Vcc1。

8.根據權利要求6所述的多次可程式閃存單元陣列，其特征在于，在對第i行、第j列的多次可程式閃存單元中的第二浮柵晶體管進行編程操作的條件中：

第i行、第j列的多次可程式閃存單元中的第一選擇晶體管的柵極施加有電壓Vcc2。

9.根據權利要求6所述的多次可程式閃存單元陣列，其特征在于，在對第i行、第j列的多次可程式閃存單元中的第二浮柵晶體管進行編程操作的條件中：

除第i條位線之外的其他位線施加有電壓Vcc2；

第j列中除第i行之外的其他多次可程式閃存單元中的第一選擇晶體管的柵極施加有電壓Vcc2。