[發明專利]一種陣列基板及其制作方法以及顯示裝置在審
| 申請號： | 201710279009.4 | 申請日： | 2017-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN107086221A | 公開（公告）日： | 2017-08-22 |
| 發明（設計）人： | 邸云萍;曹占鋒;張斌 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京安信方達知識產權代理有限公司11262 | 代理人： | 林桐苒,李丹 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 陣列 及其 制作方法 以及 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板，其特征在于，包括：基板、依次設置在所述基板上的組合層和陣列結構層；其中，所述組合層包括作為遮光層的第一膜層、第二膜層和第三膜層。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一膜層設置在所述基板上并覆蓋整個基板，所述第二膜層設置在所述第一膜層上，所述第三膜層設置在所述第二膜層上，所述第二膜層和第三膜層形成遮光圖案，所述遮光圖案在基板上的投影大于或等于所述陣列結構層的溝道區域。
3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一膜層的厚度為500-1500埃，所述第二膜層的厚度500-1500埃，所述第三膜層的厚度為1000-3000埃。
4.根據權利要求1-3任一所述的陣列基板，其特征在于，所述第一膜層、第三膜層的材料為氮化硅、氧化硅或氮化硅和氧化硅的復合薄膜，所述第二膜層的材料為非晶硅。
5.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成組合層，其中，所述組合層包括作為遮光層的第一膜層、第二膜層和第三膜層；
在形成有組合層的基板上形成陣列結構層。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在基板上形成組合層，包括：
在基板上依次沉積第一薄膜、第二薄膜和第三薄膜；
通過構圖工藝使所述第二薄膜和第三薄膜形成遮光圖案。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述遮光圖案在基板上的投影大于或等于所述陣列結構層的溝道區域。
8.根據權利要求5-7任一所述的方法，其特征在于，所述第一膜層的厚度為500-1500埃，所述第二膜層的厚度500-1500埃，所述第三膜層的厚度為1000-3000埃。
9.根據權利要求5-7任一所述的方法，其特征在于，所述第一膜層、第三膜層的材料為氮化硅、氧化硅或氮化硅和氧化硅的復合薄膜，所述第二膜層的材料為非晶硅。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-4所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
