[發明專利]一種進氣機構及其進氣方法和半導體處理設備

有效

• 申請號: 201710277996.4
• 申請日: 2017-04-25
• 公開（公告）號: CN108728791B
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 白志民;邱國慶;李強;鄧斌;武學偉;王厚工;丁培軍
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/34
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;羅瑞芝

1.一種進氣機構，環繞設置在腔室內的基臺周圍，所述基臺周圍沿所述基臺徑向由內向外依次環繞設置有壓環、上屏蔽結構和下屏蔽結構，所述基臺、所述壓環、所述上屏蔽結構和所述下屏蔽結構在所述腔室內圍成工藝區域，所述進氣機構包括環繞設置在所述下屏蔽結構外圍的氣源通道，用于向所述工藝區域內提供反應氣體，其特征在于，所述進氣機構還包括調節結構，所述調節結構位于所述上屏蔽結構和所述下屏蔽結構之間，且能沿所述基臺的軸向上下移動，以分別在所述工藝區域內形成不同路徑的進氣通道，分別滿足不同的工藝要求。

2.根據權利要求1所述的進氣機構，其特征在于，所述調節結構環繞所述基臺邊緣外圍設置，所述調節結構沿所述基臺的徑向自內側的第一端延伸至外側的第二端；

所述壓環的背向所述工藝區域的一側開設有槽，所述調節結構的第一端面向所述槽的開口，并嵌入至所述槽中；

所述上屏蔽結構的末端與所述調節結構的第二端相對且位于所述第二端的上方，所述下屏蔽結構延伸至所述第二端的下方。

3.根據權利要求2所述的進氣機構，其特征在于，所述調節結構的垂直于所述基臺承載面的切面形狀呈L形。

4.根據權利要求2或3中任一所述的進氣機構，其特征在于，當所述調節結構上升至高位并與所述上屏蔽結構相接觸時，所述氣源通道提供的所述反應氣體依次經過在所述上屏蔽結構與所述下屏蔽結構之間形成的進氣通道，在所述調節結構和所述下屏蔽結構之間形成的下進氣通道，以及在所述調節結構與所述壓環之間形成的迷宮式進氣通道進入所述工藝區域內。

5.根據權利要求2或3中任一所述的進氣機構，其特征在于，當所述調節結構下降至低位并與所述下屏蔽結構相接觸時，所述氣源通道提供的所述反應氣體依次經過在所述上屏蔽結構與所述下屏蔽結構之間形成的進氣通道，在所述調節結構和所述上屏蔽結構之間形成的上進氣通道進入所述工藝區域內。

6.根據權利要求4所述的進氣機構，其特征在于，所述調節結構上升至高位并與所述上屏蔽結構相接觸時，所述調節結構的所述第一端與所述槽之間形成所述迷宮式進氣通道。

7.根據權利要求5所述的進氣機構，其特征在于，所述調節結構下降至低位并與所述下屏蔽結構相接觸時，所述調節結構的所述第二端與所述上屏蔽結構的末端之間形成所述上進氣通道。

8.根據權利要求1所述的進氣機構，其特征在于，還包括動力機構，所述動力機構連接所述調節結構，用于驅動所述調節結構上下移動。

9.一種如權利要求1-8任意一項所述的進氣機構的進氣方法，其特征在于，所述進氣方法用于沉積金屬氮化物膜，所述金屬氮化物膜包括底層膜和頂層膜；所述反應氣體包括氮氣。

10.根據權利要求9所述的進氣方法，其特征在于，在沉積形成所述底層膜時，所述調節結構下降至低位并與所述下屏蔽結構相接觸，所述氣源通道提供的所述反應氣體依次經過在所述上屏蔽結構與所述下屏蔽結構之間形成的進氣通道，在所述調節結構和所述上屏蔽結構之間形成的上進氣通道進入所述工藝區域內。

11.根據權利要求9所述的進氣方法，其特征在于，在沉積形成所述頂層膜時，所述調節結構上升至高位并與所述上屏蔽結構相接觸，所述氣源通道提供的所述反應氣體依次經過在所述上屏蔽結構與所述下屏蔽結構之間形成的進氣通道，在所述調節結構和所述下屏蔽結構之間形成的下進氣通道，以及在所述調節結構與所述壓環之間形成的迷宮式進氣通道進入所述工藝區域內。

12.一種半導體處理設備，其特征在于，包括權利要求1-8任意一項所述的進氣機構。