[發明專利]成膜速率檢測模組、成膜設備、成膜速率檢測方法有效
| 申請號: | 201710277788.4 | 申請日: | 2017-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN107017177B | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發明(設計)人: | 蔣國;劉洋;尚躍東;李建;楊樂;劉金偉 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 速率 檢測 模組 設備 方法 | ||
1.一種成膜速率檢測模組,其特征在于,包括:
多個主傳感器,其用于檢測其上形成薄膜的速率;
遮蔽各主傳感器且具有主開口的主擋板,主擋板能運動以使主開口輪流對應每個主傳感器;
輔傳感器,其用于檢測其上形成薄膜的速率;
遮蔽輔傳感器且具有輔開口的輔擋板,輔擋板能周期運動,在周期運動過程中輔開口經過對應輔傳感器的位置,且輔開口面積與輔開口在一個運動周期中累積掃過面積的比為k,k小于等于1/n,n為主傳感器個數。
2.根據權利要求1所述的成膜速率檢測模組,其特征在于,
所述主擋板為帶有主開口的圓環形板,所述多個主傳感器沿圓環形板周向均勻分布。
3.根據權利要求1所述的成膜速率檢測模組,其特征在于,
所述輔擋板為有輔開口的圓形板,所述輔傳感器設于對應圓形板非圓心的位置。
4.根據權利要求1所述的成膜速率檢測模組,其特征在于,
所述主擋板為具有主開口的圓環形板,所述多個主傳感器沿圓環形板周向均勻分布;
所述輔擋板為有輔開口的圓形板,所述輔傳感器設于對應圓形板非圓心的位置;
所述圓形板同心的設于所述圓環形板內側。
5.根據權利要求4所述的成膜速率檢測模組,其特征在于,
所述圓形板的半徑等于圓環形板的內徑。
6.根據權利要求1所述的成膜速率檢測模組,其特征在于,
所述輔開口的面積等于其在一個運動周期中累積掃過的面積的1/n。
7.根據權利要求1所述的成膜速率檢測模組,其特征在于,還包括:
主驅動單元,用于驅動所述主擋板運動;
輔驅動單元,用于驅動所述輔擋板勻速的周期運動。
8.一種成膜設備,包括用于成膜的成膜腔室,其特征在于,
所述成膜腔室中設有權利要求1至7中任意一項所述的成膜速率檢測模組。
9.根據權利要求8所述的成膜設備,其特征在于,
所述成膜設備為蒸鍍設備。
10.一種成膜速率檢測方法,其特征在于,使用權利要求1至9中任意一項所述的成膜速率檢測模組進行,所述成膜速率檢測方法包括:
移動主擋板使主開口對應一個主傳感器,該主傳感器檢測得到主成膜速率;同時,使輔擋板勻速的周期運動,輔傳感器檢測得到輔成膜速率;
判斷所述輔成膜速與主成膜速率的比是否等于k,若不等則表示成膜速率檢測結果錯誤。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





