[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201710276838.7 | 申請日: | 2017-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN106873278A | 公開(公告)日: | 2017-06-20 |
| 發明(設計)人: | 陳傳寶;尹小斌;馬俊才 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括:
襯底基板;
柵極線,設置在所述襯底基板上且沿第一方向延伸;
數據線,設置在所述襯底基板上且沿第二方向延伸;
所述柵極線和所述數據線彼此交叉以限定像素區;
有機膜,設置在所述柵極線與所述數據線上以及所述像素區內;以及
像素電極,設置在所述有機膜上且在所述像素區內,
其中,位于所述數據線正上方的所述有機膜具有第一厚度,位于所述像素電極正下方的所述有機膜具有第二厚度,所述第一厚度大于所述第二厚度。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,還包括,位于所述像素區內的薄膜晶體管,所述薄膜晶體管位于所述有機膜與所述襯底基板之間,所述像素電極通過所述有機膜中的過孔連接到所述薄膜晶體管的漏極,所述薄膜晶體管正上方的所述有機膜的厚度等于所述第一厚度。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,所述柵極線正上方的所述有機膜的厚度等于所述第一厚度。
4.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板,其中,所述第二厚度與所述第一厚度的比例不小于0.5。
5.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,所述像素區還設置有公共電極,所述公共電極設置在所述有機膜遠離所述襯底基板的一側,且在垂直于所述襯底基板的方向上,所述公共電極與所述數據線和所述柵極線的至少之一有交疊。
6.根據權利要求5所述的陣列基板,其中,所述公共電極設置在所述像素電極遠離所述襯底基板的一側或設置在所述像素電極與所述有機膜之間。
7.根據權利要求5或6所述的陣列基板,其中,所述公共電極為透明導電電極。
8.一種顯示裝置,包括權利要求1-7任一項所述的陣列基板。
9.一種陣列基板的制作方法,包括:
在襯底基板上形成沿第一方向延伸的柵極線以及沿第二方向延伸的數據線,所述柵極線和所述數據線彼此交叉以限定像素區;
在所述柵極線和所述數據線上以及所述像素區形成有機膜;以及
在所述有機膜上形成像素電極,所述像素電極位于所述像素區內,
其中,位于所述數據線正上方的所述有機膜具有第一厚度,位于所述像素電極正下方的所述有機膜具有第二厚度,所述第一厚度大于所述第二厚度。
10.根據權利要求9所述的陣列基板的制作方法,還包括:
在所述像素區形成薄膜晶體管,且所述薄膜晶體管形成于所述有機膜與所述襯底基板之間,所述像素電極通過所述有機膜中的過孔連接到所述薄膜晶體管的漏極,所述薄膜晶體管正上方的所述有機膜的厚度等于所述第一厚度。
11.根據權利要求10所述的陣列基板的制作方法,其中,所述有機膜采用半色調掩模工藝形成。
12.根據權利要求10所述的陣列基板的制作方法,還包括:在所述像素區形成公共電極,其中,所述公共電極形成在所述有機膜遠離所述襯底基板的一側,且在垂直于所述襯底基板的方向上,所述公共電極與所述數據線和所述柵極線的至少之一有交疊。
13.根據權利要求12所述的陣列基板的制作方法,其中,所述公共電極形成在所述像素電極遠離所述襯底基板的一側或形成在所述像素電極與所述有機膜之間。
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