[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710276690.7
• 申請(qǐng)日: 2017-04-25
• 公開（公告）號(hào): CN108735796A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 詹景琳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種半導(dǎo)體元件，包括：

基底，包括第一區(qū)以及與所述第一區(qū)相連的第二區(qū)；

第一摻雜區(qū)(D)，具有第一導(dǎo)電型，位于所述基底中，包括：

第一螺旋狀區(qū)域，在所述第一區(qū)中；

塊狀區(qū)域，在所述第二區(qū)中，與所述第一螺旋狀區(qū)域連接；

第二摻雜區(qū)(S)，具有所述第一導(dǎo)電型，位于所述基底中，包括：

第二螺旋狀區(qū)域，在所述第一區(qū)中，夾于所述第一螺旋狀區(qū)域之中；

外圍區(qū)域，在所述第一區(qū)以及所述第二區(qū)的邊緣，環(huán)繞所述第一螺旋狀區(qū)域與所述塊狀區(qū)域，且與所述第二螺旋狀區(qū)域連接；

隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間；以及

柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間且覆蓋部分的所述基底及部分的所述隔離結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中所述第一螺旋狀區(qū)域以及所述第二螺旋狀區(qū)域的形狀各自為方形螺旋狀區(qū)域、圓形螺旋狀區(qū)域或橢圓形螺旋狀區(qū)域。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中：

所述第一螺旋狀區(qū)域包括彼此相連的多個(gè)第一直線區(qū)域及多個(gè)第一彎曲區(qū)域；以及

所述第二螺旋狀區(qū)域包括彼此相連的多個(gè)第二直線區(qū)域及多個(gè)第二彎曲區(qū)域，

其中所述多個(gè)第一直線區(qū)域與所述多個(gè)第二直線區(qū)域交替設(shè)置；所述多個(gè)第一彎曲區(qū)域與所述多個(gè)第二彎曲區(qū)域交替設(shè)置。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件，其中：

所述第一螺旋狀區(qū)域中最接近所述第一區(qū)邊緣的所述第一直線區(qū)域與所述塊狀區(qū)域連接；以及

所述第二螺旋狀區(qū)域中最接近所述第一區(qū)與所述第二區(qū)交界面的所述第二直線區(qū)域與所述外圍區(qū)域連接。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件，其中所述第一螺旋狀區(qū)域的第一起始部與所述第二螺旋狀區(qū)域的第二起始部彼此相扣。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中所述第一螺旋狀區(qū)域的所述第一起始部呈U型與倒U型其中之一；所述第二螺旋狀區(qū)域的所述第二起始部呈U型與倒U型其中之另一。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中：

在所述第一區(qū)中的所述隔離結(jié)構(gòu)包括：

中心區(qū)，呈S型，位于所述第一螺旋狀區(qū)域的所述第一起始部與所述第二螺旋狀區(qū)域的所述第二起始部之間；

雙螺旋區(qū)，環(huán)繞在所述中心區(qū)的外圍；以及

連接區(qū)，呈L型，連接所述中心區(qū)與所述雙螺旋區(qū)，

其中所述連接區(qū)的第一端連接所述中心區(qū)的第一端，所述連接區(qū)的第二端連接所述雙螺旋區(qū)的第二起始端，所述雙螺旋區(qū)的第一起始端連接所述中心區(qū)的第二端；以及

在所述第二區(qū)中的所述隔離結(jié)構(gòu)包括：

環(huán)繞區(qū)，環(huán)繞所述塊狀區(qū)域，所述環(huán)繞區(qū)的第一端連接所述雙螺旋區(qū)的第一末端，所述環(huán)繞區(qū)的第二端連接所述雙螺旋區(qū)的第二末端。

8.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件，還包括導(dǎo)體層，設(shè)置于所述柵極結(jié)構(gòu)的上方且與所述第二摻雜區(qū)電性連接，其中所述導(dǎo)體層至少自所述第二摻雜區(qū)的上方延伸至部分所述隔離結(jié)構(gòu)的上方，其中設(shè)置于所述第二摻雜區(qū)的所述第二彎曲區(qū)域上的所述導(dǎo)體層的寬度大于設(shè)置于所述第二摻雜區(qū)的所述第二直線區(qū)域上的所述導(dǎo)體層的寬度。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包括：

第一阱區(qū)，具有第二導(dǎo)電型，設(shè)置于所述基底中，其中所述第二摻雜區(qū)設(shè)置于所述第一阱區(qū)中，且所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分的所述第一阱區(qū)；

第二阱區(qū)，具有所述第一導(dǎo)電型，設(shè)置于所述基底中，其中所述第一阱區(qū)與所述第一摻雜區(qū)設(shè)置于所述第二阱區(qū)中；

第三阱區(qū)，具有所述第一導(dǎo)電型，設(shè)置于所述基底中且與所述第二阱區(qū)相鄰；

第三摻雜區(qū)，具有所述第二導(dǎo)電型，設(shè)置于所述第一阱區(qū)中且與所述第二摻雜區(qū)相鄰；以及

第四摻雜區(qū)，具有所述第二導(dǎo)電型，設(shè)置于所述第三阱區(qū)中。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包括：

頂層，具有第二導(dǎo)電型，設(shè)置于所述隔離結(jié)構(gòu)下方的所述基底中；以及

梯層，具有所述第一導(dǎo)電型，設(shè)置于所述隔離結(jié)構(gòu)與所述頂層之間。