[發(fā)明專(zhuān)利]一種通過(guò)預(yù)補(bǔ)值來(lái)快速建立光刻工藝條件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710276130.1
• 申請(qǐng)日: 2017-04-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106896638B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳巧麗;楊正凱;毛智彪
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F1/80
• 分類(lèi)號(hào): G03F1/80;G03F1/50;G03F7/20
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

1.一種通過(guò)預(yù)補(bǔ)值來(lái)快速建立光刻工藝條件的方法，其特征在于，包括以下步驟：

SO1：將參數(shù)相同的掩模版標(biāo)記為第一掩模版、第二掩模版……第N掩模版，上述掩模版在光刻過(guò)程中分別對(duì)應(yīng)第一光刻層、第二光刻層……第N光刻層；所述參數(shù)相同的掩模版同時(shí)滿(mǎn)足類(lèi)型相同、規(guī)格相同和制作掩模版的基版為同一批次三個(gè)條件；

SO2：根據(jù)技術(shù)平臺(tái)中的經(jīng)驗(yàn)值確定上述第一掩模版、第二掩模版……第N掩模版的基準(zhǔn)工藝條件中離焦量為F_1BSL+/-F_1BSLWnm、F_2BSL+/-F_2BSLWnm……F_NBSL+/-F_NBSLWnm；曝光量為E_1BSL+/-E_1BSLWmJ·cm^-2、E_2BSL+/-E_2BSLWmJ·cm^-2……E_NBSL+/-E_NBSLWmJ·cm^-2；

SO3：對(duì)第一掩模版對(duì)應(yīng)的第一光刻層做焦距-能量矩陣，確定最佳工藝條件中離焦量為F_1EXPnm、曝光量E_1EXPmJ·cm^-2；

SO4：計(jì)算第一掩模版的最佳工藝條件偏離基準(zhǔn)工藝條件的比率M，所述比率M分為離焦量比率M₁和曝光量比率M₂，并判斷該比率是否超過(guò)設(shè)定的閾值，若M₁或M₂等于或大于設(shè)定的閾值，將第一掩模版送檢調(diào)查，經(jīng)過(guò)修正之后重復(fù)SO3步驟，若M₁和M₂同時(shí)小于設(shè)定的閾值，開(kāi)始SO5步驟；其中，所述離焦量比率M₁＝(F_1EXP-F_1BSL)/F_1BSLW且M₁的取值范圍為10-60％；所述曝光量比率M₂＝(E_1EXP-E_1BSL)/E_1BSLW且M₂的取值范圍為8-60％；

SO5：根據(jù)上述比率和第二掩模版的基準(zhǔn)工藝條件確定第二掩模版的最佳工藝條件，F(xiàn)_2EXP＝F_2BSL+F_2BSLW·M₁nm,E_2EXP＝E_2BSL+E_2BSLW·M₂mJ·cm^-2；其中，F(xiàn)_2EXP為第二掩模版最佳工藝條件中離焦量；E_2EXP為第二掩模版最佳工藝條件中曝光量；

SO6：以此類(lèi)推，根據(jù)上述比率M和第N掩模版的基準(zhǔn)工藝條件確定第N掩模版的最佳工藝條件，F(xiàn)_NEXP＝F_NBSL+F_NBSLW·M₁nm,E_NEXP＝E_NBSL+E_NBSLW·M₂mJ·cm^-2；其中，F(xiàn)_NEXP為第N掩模版最佳工藝條件中離焦量；E_NEXP為第N掩模版最佳工藝條件中曝光量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種通過(guò)預(yù)補(bǔ)值來(lái)快速建立光刻工藝條件的方法，其特征在于，所述類(lèi)型為雙極型掩模版、相轉(zhuǎn)移掩模版、交替相移掩模版中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種通過(guò)預(yù)補(bǔ)值來(lái)快速建立光刻工藝條件的方法，其特征在于，所述規(guī)格包括測(cè)量圖形類(lèi)型、線(xiàn)寬允許的最大缺陷和放大或縮小的倍率和平整度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種通過(guò)預(yù)補(bǔ)值來(lái)快速建立光刻工藝條件的方法，其特征在于，所述制作掩模版的基版為在石英襯底上沉積Cr或MoSi的基版。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種通過(guò)預(yù)補(bǔ)值來(lái)快速建立光刻工藝條件的方法，其特征在于，在SO3步驟中，還可以對(duì)第一掩模版對(duì)應(yīng)的第一光刻層做小批量的試生產(chǎn)，確定最佳工藝條件為F_1EXPnm、曝光量E_1EXPmJ·cm^-2。