[發明專利]等離子體處理裝置和氣體導入機構

有效

• 申請號: 201710275334.3
• 申請日: 2017-04-25
• 公開（公告）號: CN107393798B
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發明（設計）人: 藤野豐;小松智仁;池田太郎;中入淳;和久津岳生
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/3065;H05H1/46
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

腔室；

在所述腔室內載置被處理體的載置臺；

等離子體源，其經由所述腔室的頂壁向所述腔室內導入微波，在所述腔室內生成表面波等離子體；

從所述頂壁將第一氣體導入所述腔室內的第一氣體導入部；和

從所述頂壁與所述載置臺之間將第二氣體導入所述腔室內的第二氣體導入部，

所述第二氣體導入部包括：

環狀部件，其形成有多個氣體排出孔，設置成位于所述頂壁與所述載置臺之間的規定高度的位置；和

連接所述頂壁與所述環狀部件的腳部，

所述第二氣體向所述環狀部件的供給經由所述腳部進行，

所述頂壁包括使微波透過的電介質窗和用于安裝所述電介質窗的金屬部分，所述第一氣體導入部形成于所述頂壁的所述金屬部分，所述腳部設置于所述金屬部分的沒有形成所述第一氣體導入部的部分。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述等離子體源包括對所述腔室導入微波的多個微波輻射機構，所述頂壁在與各所述微波輻射機構對應的位置具有所述電介質窗。

3.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述腳部在從所述載置臺上的被處理體垂直觀察所述頂壁的情況下，所述腳部設置成與所述第二氣體導入部的所述環狀部件重疊。

4.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述腳部設置有多個，一部分作為對所述環狀部件供給第二氣體的氣體供給部件發揮作用，另一部分作為冷卻所述環狀部件的冷卻部件發揮作用。

5.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

還包括設置于所述第二氣體導入部的外側區域的、將所述第二氣體導入所述腔室的第三氣體導入部，

所述第三氣體導入部包括第二環狀部件，該第二環狀部件形成有多個氣體排出孔，設置成在所述第二氣體導入部的所述環狀部件的外側且位于所述頂壁與所述載置臺之間的高度位置。

6.如權利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第三氣體導入部包括連接所述腔室的側壁與所述第二環狀部件的梁部，所述第二氣體向所述第二環狀部件的供給經由所述梁部進行，所述梁部形成于在俯視時不與所述載置臺上的被處理體重疊的區域。

7.一種在等離子體處理裝置中導入氣體的氣體導入機構，所述等離子體處理裝置對在腔室內載置于載置臺的被處理體，利用經由所述腔室的頂壁導入所述腔室內的微波在所述腔室內生成表面波等離子體來實施等離子體處理，所述氣體導入機構的特征在于，包括：

從所述頂壁將第一氣體導入所述腔室內的第一氣體導入部；和

從所述頂壁與所述載置臺之間將第二氣體導入所述腔室內的第二氣體導入部，

所述第二氣體導入部包括：

環狀部件，其形成有多個氣體排出孔，設置成位于所述頂壁與所述載置臺之間的規定高度的位置；和

連接所述頂壁與所述環狀部件的腳部，

所述第二氣體向所述環狀部件的供給經由所述腳部進行，

所述頂壁包括使微波透過的電介質窗和用于安裝所述電介質窗的金屬部分，所述第一氣體導入部形成于所述頂壁的所述金屬部分，所述腳部設置于所述金屬部分的沒有形成所述第一氣體導入部的部分。

8.如權利要求7所述的氣體導入機構，其特征在于：

所述腳部在從所述載置臺上的被處理體垂直觀察所述頂壁的情況下，所述腳部設置成與所述第二氣體導入部的所述環狀部件重疊。

9.如權利要求7或8所述的氣體導入機構，其特征在于：

所述腳部設置有多個，一部分作為對所述環狀部件供給第二氣體的氣體供給部件發揮作用，另一部分作為冷卻所述環狀部件的冷卻部件發揮作用。