[發明專利]顯示設備在審
| 申請號： | 201710274825.6 | 申請日： | 2017-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN108735913A | 公開（公告）日： | 2018-11-02 |
| 發明（設計）人： | 周書綺;蔡奇哲;林柏青 | 申請（專利權）人： | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 徐偉 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 第一基板 第二基板 顯示面板 顯示設備 間隙體 硅烷化合物 間隙體系 下表面 外圍 包圍 | ||
1.一種顯示設備，包括：
一第一基板；
一第二基板，與該第一基板對應設置；
一間隙體，設置于該第一基板與該第二基板之間并對應于該第一基板與該第二基板的外圍；
一硅烷化合物，至少設置于該間隙體與該第一基板之間并接觸該第一基板的下表面；以及
一顯示面板單元，設置于該第二基板上方，其中該間隙體包圍該顯示面板單元。
2.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，該第一基板和該第二基板沿一第一方向對應設置，該間隙體于該第一方向上具有一第一厚度，該硅烷化合物在該間隙體與該第一基板之間于該第一方向上具有一第二厚度，該第二厚度小于該第一厚度。
3.如權利要求2所述的顯示設備，其特征在于，該第二厚度小于1微米。
4.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，該第一基板更包括一第一緩沖層，該硅烷化合物與該第一緩沖層接觸。
5.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，該第二基板更包括一第二緩沖層，該間隙體的下表面設置于該第二緩沖層上。
6.如權利要求5所述的顯示設備，其特征在于，該硅烷化合物更設置于該間隙體的側壁并接觸該第二緩沖層。
7.如權利要求5所述的顯示設備，其特征在于，該第一緩沖層或該第二緩沖層為多層結構。
8.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，該顯示面板單元包括一薄膜晶體管組件設置于該第二基板上方，以及一顯示單元設置于該薄膜晶體管組件上方。
9.如權利要求8所述的顯示設備，其特征在于，該間隙體的材料與部分該薄膜晶體管組件的材料相同。
10.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，該硅烷化合物為硅氧烷耦合劑。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
