[發明專利]一種具有快速負載瞬態響應的線性穩壓電路

有效

• 申請號: 201710274232.X
• 申請日: 2017-04-25
• 公開（公告）號: CN107024958B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 明鑫;魯信秋;張文林;張宣;王卓;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學;電子科技大學廣東電子信息工程研究院
• 主分類號: G05F3/16
• 分類號: G05F3/16
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232
• 代理人: 敖歡,葛啟函

1.一種具有快速負載瞬態響應的線性穩壓電路，包括鉗位運放電路和緩沖輸出級電路，所述鉗位運放電路的輸入端輸入基準電壓(Vref)，其特征在于，

所述緩沖輸出級電路包括第二電容(C3)、第三電阻(R3)、第六電阻(R6)、第三PMOS管(MP3)、第一PNP三極管(PNP1)、第三NPN三極管(NPN3)、輸出電容(C_OUT)和自適應調整電路，

第一PNP三極管(PNP1)的基極通過第三電阻(R3)后接所述鉗位運放電路的輸出端，其發射極接第三PMOS管(MP3)的漏極和第三NPN三極管(NPN3)的基極，其集電極接地；第三PMOS管(MP3)的柵極接第一偏置電壓(Vb1)，其源極接電源電壓；第二電容(C3)連接在第三NPN三極管(NPN3)的基極和地之間，第三NPN三極管(NPN3)的發射極通過第六電阻(R6)和輸出電容(C_OUT)的并聯結構后接地，其集電極接電源電壓；

所述自適應調整電路包括第四電阻(R4)、第五電阻(R5)、第一電容(C2)、第四NMOS管(MN4)、第四PMOS管(MP4)、第一NPN三極管(NPN1)、第二NPN三極管(NPN2)和第二PNP三極管(PNP2)，

第四電阻(R4)和第五電阻(R5)串聯，其串聯點接第四NMOS管(MN4)的漏極，第四NMOS管(MN4)的柵極接第二偏置電壓(Vb2)，其源極接地；第五電阻(R5)的另一端接所述鉗位運放電路的輸出端，第四電阻(R4)的另一端接第二PNP三極管(PNP2)的基極，第二PNP三極管(PNP2)的發射極接第一NPN三極管(NPN1)的發射極，其集電極接地；

第一NPN三極管(NPN1)的基極和集電極互連并連接第四PMOS管(MP4)的漏極和第二NPN三極管(NPN2)的基極；第四PMOS管(MP4)的柵極接第一偏置電壓(Vb1)，其源極接電源電壓；第二NPN三極管(NPN2)的集電極接電源電壓，其發射極連接第三NPN三極管(NPN3)的基極；第一電容(C2)連接在第二NPN三極管(NPN2)的基極和地之間。

2.根據權利要求1所述的具有快速負載瞬態響應的線性穩壓電路，其特征在于，所述鉗位運放電路包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、源隨NMOS管(MN)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、補償電容(C1)、第一電阻(R1)和第二電阻(R2)，

第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)的源極互連并連接第三NMOS管(MN3)的漏極，第一NMOS管(MN1)的柵極作為所述鉗位運放電路的輸入端，第三NMOS管(MN3)的柵極連接第二偏置電壓(Vb2)；

第一PMOS管(MP1)的柵漏短接并連接第一NMOS管(MN1)的漏極和第二PMOS管(MP2)的柵極，源隨NMOS管(MN)的柵極接第二NMOS管(MN2)和第二PMOS管(MP2)的漏極并通過補償電容(C1)后接地；

第一電阻(R1)和第二電阻(R2)串聯，其串聯點連接第二NMOS管(MN2)的柵極，第一電阻(R1)的另一端接源隨NMOS管(MN)的源極并作為所述鉗位運放電路的輸出端，第二電阻(R2)的另一端和第三NMOS管(MN3)的源極接地，第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)的源極以及源隨NMOS管(MN)的漏極接電源電壓。

3.根據權利要求1所述的具有快速負載瞬態響應的線性穩壓電路，其特征在于，所述輸出電容(C_OUT)為100pF。