[發明專利]一種離子注入終端裝置有效
| 申請號: | 201710273867.8 | 申請日: | 2017-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN108735563B | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發明(設計)人: | 李晨冉 | 申請(專利權)人: | 北京中科信電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/02 | 分類號: | H01J37/02;H01J37/20;H01J37/244;H01J37/317 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113 | 代理人: | 馬強 |
| 地址: | 101111 北京市通*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 離子 注入 終端 裝置 | ||
本發明公開了一種離子注入終端裝置,包括:靶室主腔體、旋轉靶臺、過渡腔體、移動屏蔽筒、多工位旋轉把盤,所述靶室主腔體能夠為旋轉靶臺提供支撐,能夠為整個系統提供真空的條件;所述旋轉靶臺能夠實現靶片的角度注入及軸線旋轉注入;所述過渡腔體能夠為移動屏蔽筒提供支撐;所述移動屏蔽筒能夠實現過掃板及屏蔽筒的垂直方向運動,能夠對位置進行精確控制;所述多工位旋轉把盤能夠實現不同工位的切換。本發明涉及離子注入裝置,隸屬于半導體制造領域。
技術領域
本發明涉及一種半導體器件制造設備,即離子注入機,特別是一種離子注入終端裝置,屬半導體設備領域。
背景技術
隨著集成電路工藝技術的提高,對離子注入設備提出了更高的要求,離子注入元素的種類更多,離子注入設備的應用范圍更廣,其可應用于各種材料改性、半導體器件制造以及大功率器件如SiC電子器件制造等領域,并要求離子注入設備自動化程度較高,操作簡單方便,工作穩定。
現有的離子注入靶臺系統不能滿足大角度注入、高均勻性注入及持續穩定工作的要求,存在設備成本高、注入工藝局限、靶臺系統運動不穩定等缺點,需要一種離子注入終端裝置既能滿足成本低,又能保證多自由度運動平穩的要求。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是,針對現有離子注入機靶臺系統成本高,運動控制不穩定,注入工藝菜單少等問題,提供了一種離子注入終端裝置,能夠實現多角度注入、靶盤旋轉運動、多工位不同注入樣式、冷卻效率高等。
為解決多角度注入及高均勻性注入,一種離子注入終端裝置,包括靶室主腔體(1)、旋轉靶臺(2)、過渡腔體(3)、移動屏蔽筒(4)、多工位旋轉把盤(5),其主要通過靶室主腔體提供支撐和真空條件,通過旋轉靶臺提供不同角度工藝注入,通過移動屏蔽筒實現不同角度注入時的過掃檢測與二次電子抑制,能夠實現多工位、大角度注入滿足不同注入工藝需求。
所述靶室主腔體(1)能夠為旋轉靶臺提供支撐,能夠為整個注入終端系統提供真空的條件,能夠實時觀察束流形狀及束流檢測,便于整機調試。
所述旋轉靶臺(2)采用多自由度設計,每個自由度真空密封均采用旋轉磁流體,能夠實現不同角度注入、不同工位條件注入,并且該靶臺上設計有法拉第采集器,能夠校準束流到靶中心位置及束流形狀。
所述過渡腔體(3)主要是為移動屏蔽筒提供支撐,實現與注入前系統的連接。
所述移動屏蔽筒(4)主要包括過掃板、靶前抑制電極、屏蔽筒等組成,可滿足不同角度注入時的靶前電子抑制及過掃范圍的檢測。
所述多工位旋轉把盤(5)能夠實現不同注入工位間的切換,注入工位的定位精度高,操作方便。
與現有技術相比,本發明所具有的有益效果為:本發明結構緊湊,成本低廉;能夠實現多工位、不同角度、高均勻性注入,能夠滿足多種注入工藝要求。
附圖說明
圖1為本發明一實施例注入終端裝置結構示意圖;
圖2為本發明一實施例旋轉靶臺結構示意圖;
圖3為本發明一實施例旋轉靶盤結構示意圖;
圖4為本發明一實施例移動屏蔽筒結構示意圖;
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京中科信電子裝備有限公司,未經北京中科信電子裝備有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710273867.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種霍爾離子源的導磁導流結構
- 下一篇:離子源





