[發(fā)明專利]一種低電壓低功耗高增益窄帶低噪聲放大器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710273813.1 | 申請日： | 2017-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN107241074A | 公開（公告）日： | 2017-10-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李智群;羅磊;王曾祺;程國梟;王歡 | 申請（專利權(quán)）人： | 東南大學(xué) |
| 主分類號： | H03F3/45 | 分類號： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 壓低 功耗 增益 窄帶 低噪聲放大器 | ||
1.一種低電壓低功耗高增益窄帶低噪聲放大器，其特征在于：設(shè)有輸入主共柵放大單元、扼流單元、跨導(dǎo)增強共柵放大單元和負(fù)載單元，差分射頻輸入信號Vin+和Vin-分別連接輸入主共柵放大單元的輸入端和扼流單元的輸出端，輸入主共柵放大單元的輸出端連接跨導(dǎo)增強共柵放大單元的輸入端，跨導(dǎo)增強共柵放大單元的輸出端連接負(fù)載單元，負(fù)載單元輸出差分射頻輸出信號Vout+和Vout-；其中：
輸入主共柵放大單元包括NMOS管M1、NMOS管M2、電阻R1、電阻R2、電容C1和電容C2，NMOS管M1的柵極連接電阻R1的一端和電容C1的一端，電阻R1的另一端連接偏置電壓Vbias1，NMOS管M2的柵極連接電阻R2的一端和電容C2的一端，電阻R2的另一端連接偏置電壓Vbias1，NMOS管M1的源極和NMOS管M2的源極分別連接差分射頻輸入信號Vin+和Vin-；
扼流單元包括電感L1和電感L2，電感L1的一端連接輸入主共柵放大單元中NMOS管M2的源極即差分射頻輸入信號Vin-，電感L2的一端連接輸入主共柵放大單元中NMOS管M1的源極即差分射頻輸入信號Vin+，電感L1的另一端和電感L2另一端均接地；
跨導(dǎo)增強共柵放大單元包括NMOS管M3、NMOS管M4、電容C3、電容C4以及、電阻R3～R6，電容C3的一端連接NMOS管M3的柵極和電阻R3的一端，電阻R3的另一端連接偏置電壓Vbias2，電容C3的另一端連接輸入主共柵放大單元中NMOS管M1的源極即差分射頻輸入信號Vin+，電容C4的一端連接NMOS管M4的柵極和電阻R4的一端，電阻R4的另一端連接偏置電壓Vbias2，電容C4的另一端連接輸入主共柵放大單元中NMOS管M2的源極即差分射頻輸入信號Vin-，NMOS管M3的漏極連接電阻R5的一端和輸入主共柵放大單元中電容C1的另一端，NMOS管M4的漏極連接電阻R6的一端和輸入主共柵放大單元中電容C2的另一端，電阻R5的另一端和電阻R6的另一端均連接電源電壓VDD；
負(fù)載單元包括電感L3和電容C5，電感L3與電容C5并聯(lián)，其并聯(lián)后的一端連接輸入主共柵放大單元中NMOS管M1的漏極并作為輸出端輸出差分射頻輸出信號Vout+，并聯(lián)后的另一端連接輸入主共柵放大單元中NMOS管M2的漏極并作為輸出端輸出差分射頻輸出信號Vout-，電感L3的中心抽頭端連接電源電壓VDD。
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