[發明專利]一種智能管控擴晶機及其工藝流程有效
| 申請號: | 201710273223.9 | 申請日: | 2017-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN106971967B | 公開(公告)日: | 2023-06-30 |
| 發明(設計)人: | 吳明旭;李遵杰;吳輝君 | 申請(專利權)人: | 廣東英達思迅智能制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68 |
| 代理公司: | 廣東雅商律師事務所 44652 | 代理人: | 杜海江 |
| 地址: | 528400 廣東省中山市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 智能 管控擴晶機 及其 工藝流程 | ||
1.一種智能管控擴晶機,包括機架(1)和操作臺(2),其特征在于所述機架(1)上從左往右依次設置有脫膜裝置(3)、擴晶裝置(4)、檢測裝置(5)和存儲裝置,所述機架(1)上還設置有位于所述脫膜裝置(3)、擴晶裝置(4)和檢測裝置(5)上端的橫向支架(6),所述橫向支架(6)上設置有移載機械手(7),所述移載機械手(7)連接有帶動其沿所述橫向支架(6)左右運動的移栽動力機構;所述機架(1)上還設置有位于所述脫膜裝置(3)上端的舊膜掃描器(8)和位于所述擴晶裝置(4)上端的新膜掃描器(9),所述存儲裝置包括儲料架(10)和儲料機械手(11),所述脫膜裝置(3)、擴晶裝置(4)、檢測裝置(5)、存儲裝置、移載機械手(7)、移栽動力機構、舊膜掃描器(8)和新膜掃描器(9)分別與所述操作臺(2)電連接;
所述新膜掃描器(9)用于登記錄入新標簽的信息,包括晶元的亮度、顏色、使用電壓、晶元顆粒數,舊膜掃描器(8)用于在回收前進行錄入對比,形成晶元盤使用的閉環,及時對未回收的晶元盤進行統計,便于追溯和查詢每一個晶元盤的使用情況;
所述脫膜裝置(3)包括脫膜底座(31)和推板(32),所述脫膜底座(31)內設置有堆疊腔(33)和脫膜腔(34),所述脫膜底座(31)上設置有若干位于所述堆疊腔(33)上端的限位桿(35),所述堆疊腔(33)和限位桿(35)組成堆疊區,所述推板(32)連接有帶動其左右運動的推板動力機構(36),所述脫膜底座(31)內設置有與所述推板(32)相適應的推槽(37),所述推槽(37)將所述堆疊腔(33)和脫膜腔(34)連通,所述脫膜腔(34)的底端設置有吸膜組件,所述推板動力機構(36)和吸膜組件分別與所述操作臺(2)電連接。
2.根據權利要求1所述的智能管控擴晶機,其特征在于所述擴晶裝置(4)包括擴晶底板(41)和位于所述擴晶底板(41)左右兩側的縱向滑軌(42),所述擴晶底板(41)內設置有擴晶加熱模塊(43),所述擴晶加熱模塊(43)連接有帶動其上下運動的絲杠升降機構(44),所述擴晶底板(41)與所述擴晶加熱模塊(43)之間設置有切膜齒環(45),所述切膜齒環(45)連接有帶動其上下運動的切膜動力機構,所述縱向滑軌(42)的前后兩端分別安裝有上料板(46)和上料吸盤(47),所述上料板(46)連接有帶動其沿所述縱向滑軌(42)前后運動的上料板動力機構,所述上料吸盤(47)連接有帶動其上下運動的第一吸盤動力機構,所述第一吸盤動力機構連接有帶動其沿所述縱向滑軌(42)前后運動的第二吸盤動力機構,所述上料板(46)的側端設置有標簽暫放區(48)。
3.根據權利要求2所述的智能管控擴晶機,其特征在于所述移載機械手(7)包括外環取料件(71)、內環取料件(72)和壓膜環(73),所述外環取料件(71)連接有帶動其上下運動的外環取料動力機構,所述內環取料件(72)連接有帶動其上下運動的內環取料動力機構,所述壓膜環(73)連接有帶動其上下運動的壓膜環(73)動力機構。
4.根據權利要求3所述的智能管控擴晶機,其特征在于所述外環取料件(71)和內環取料件(72)的下端面均設置有負壓孔。
5.根據權利要求4所述的智能管控擴晶機,其特征在于所述檢測裝置(5)包括傳送帶(51)、位于所述傳送帶(51)左端上側的貼標機械手(52)和位于所述傳送帶(51)右端上側的工業相機(53),所述貼標機械手(52)連接有帶動其上下運動的貼標動力機構,所述貼標動力機構連接有帶動所述貼標機械手(52)和貼標動力機構旋轉的貼標旋轉機構。
6.根據權利要求5所述的智能管控擴晶機,其特征在于所述機架(1)上還設置有橫向導軌(12),所述橫向導軌(12)上設置有縱向導軌(13),所述儲料機械手(11)連接有帶動其沿所述縱向導軌(13)上下運動的第一儲料動力機構,所述縱向導軌(13)連接有帶動其沿所述橫向導軌(12)左右運動的第二儲料動力機構。
7.一種如權利要求6所述智能管控擴晶機的工藝流程,其特征在于包括如下步驟:
(a)、回收掃描:工人將舊晶元盤放入所述堆疊區內,所述推板(32)將所述堆疊腔(33)內最底層的所述舊晶元盤推入所述脫膜腔(34)內,所述舊膜掃描器(8)進行掃碼記錄;
(b)、脫膜取環:所述移載機械手(7)移動至所述脫膜腔(34)的上端,所述外環取料件(71)抵在外環上,所述內環取料件(72)下壓將所述外環和內環錯開分離,所述吸膜組件將舊膜吸走,所述外環取料件(71)吸住所述外環,所述內環取料件(72)吸住所述內環;
(c)、放料:所述移載機械手(7)將所述外環和內環移動至所述擴晶裝置(4)的上端,所述內環取料件(72)將內環套入所述擴晶加熱模塊(43)的外側,工人先將新膜放置在所述上料板(46)上,再將標簽撕下放置在所述標簽暫放區(48)內;
(d)、取料:所述上料板(46)向前移動至所述擴晶底板(41)的上端,所述新膜掃描器(9)進行掃碼記錄,所述上料吸盤(47)先向前移動至所述上料板(46)的上端,再向下移動將所述新膜吸起,所述貼標機械手(52)先轉動至所述標簽暫放區(48)的上端,再向下移動將所述標簽取走,所述上料板(46)向后移動復位;
(e)、擴晶:所述上料吸盤(47)向下移動將所述新膜平放至所述脫膜底座(31)上,使所述新膜覆蓋在所述擴晶加熱模塊(43)和內環上,所述壓膜環(73)向下運動,將所述新膜壓在所述脫膜底座(31)上,所述擴晶加熱模塊(43)上升,使新膜的中部擴張;
(f)、扣環:所述外環取料件(71)下壓,使外環與內環扣合,形成新晶元盤;
(g)、切膜:所述切膜齒環(45)向上運動將多余的邊角料切斷,所述上料吸盤(47)將邊角料移動至后方進行收集;
(h)、貼標:所述移載機械手(7)將所述新晶元盤送至所述傳送帶(51)上,所述貼標機械手(52)將標簽貼在所述新晶元盤上;
(i)、拍照:所述傳送帶(51)將所述新晶元盤送至最右端,所述工業相機(53)進行拍照記錄和對比,并生成工單號;
(j)、儲存:所述儲料機械手(11)取走新晶元盤,根據工單號中的分區編碼放至所述儲料架(10)上的對應位置。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





